美國國防高級(jí)研究計(jì)劃署（DARPA）與德克薩斯州政府聯(lián)合投資14億美元，計(jì)劃改造位于德州奧斯汀的德克薩斯電子研究所（TIE）舊廠，打造全球首個(gè)專注于3D異構(gòu)集成（3DHI）技術(shù)的先進(jìn)實(shí)驗(yàn)晶圓廠。該晶圓廠將集成多種半導(dǎo)體材料（包括硅、氮化鎵和碳化硅）和不同芯片類型，實(shí)現(xiàn)芯片層間的堆疊與互聯(lián)，極大提升微電子器件性能。根據(jù)DARPA預(yù)測，硅基芯片堆疊性能較傳統(tǒng)二維設(shè)計(jì)提升可達(dá)30倍，采用異質(zhì)半導(dǎo)體材料則有望提升100倍。

該晶圓廠是DARPA“下一代微電子制造計(jì)劃（NGMM）”的核心基礎(chǔ)設(shè)施，旨在推動(dòng)美國微電子制造技術(shù)的革命性飛躍。德克薩斯州政府將出資5.52億美元，DARPA出資8.4億美元，預(yù)計(jì)五年內(nèi)建成投用后實(shí)現(xiàn)自我運(yùn)營。除了制造能力，此項(xiàng)目還將開發(fā)關(guān)鍵工藝設(shè)計(jì)套件和封裝設(shè)計(jì)套件，促進(jìn)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的制定與普及。

此外，德州科技大學(xué)已獲得DARPA和德州政府資助，開展3D異構(gòu)集成專業(yè)的研究生教育項(xiàng)目，培養(yǎng)下一代芯片設(shè)計(jì)與制造人才。該晶圓廠建設(shè)也將為眾多硬件初創(chuàng)企業(yè)提供從原型設(shè)計(jì)到初步量產(chǎn)的關(guān)鍵平臺(tái)，助力其跨越“實(shí)驗(yàn)室到工廠”的斷層，進(jìn)一步鞏固美國在軍事、人工智能和高性能計(jì)算領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。