11月16日，芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司（以下簡稱“芯聯(lián)集成）正式發(fā)布全新碳化硅G2.0技術平臺，該平臺采用了8英寸更先進制造技術，已達到全球領先水平。

據(jù)悉，該技術平臺通過器件結構與工藝制程的雙重優(yōu)化，實現(xiàn)“高效率、高功率密度、高可靠”核心目標，全面覆蓋電驅與電源兩大核心應用場景，可廣泛應用新能源汽車主驅、車載電源及AI數(shù)據(jù)中心電源等廣闊市場。

在電驅領域，芯聯(lián)集成碳化硅G2.0電驅版憑借更低導通損耗與優(yōu)異開關軟度，功率密度提升20%，可顯著增強新能源汽車主驅系統(tǒng)動力輸出與能效表現(xiàn)，為整車續(xù)航提升提供關鍵支撐。

在電源場景中，芯聯(lián)集成碳化硅G2.0電源版針對性優(yōu)化寄生電容設計，通過封裝優(yōu)化強化散熱，開關損耗降低高達30%，兼具強化的動態(tài)可靠性設計，實現(xiàn)電源轉換效率與系統(tǒng)功率密度大幅提升，完美適配SST、HVDC等AI數(shù)據(jù)中心電源及車載OBC電源需求。

未來，該平臺將極大助力客戶把握新能源電氣化與AI算力建設雙重機遇，構建領先的差異化競爭優(yōu)勢。