近年來，印度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢頭強(qiáng)勁，此前批準(zhǔn)的6個項(xiàng)目已進(jìn)入不同程度的實(shí)施階段。近日，由印度總理納倫德拉·莫迪主持的聯(lián)邦內(nèi)閣批準(zhǔn)了印度半導(dǎo)體計劃(Indian Semiconductor Mission，ISM)下的另外四個半導(dǎo)體項(xiàng)目。

據(jù)印度《Business Standard》報道，新批準(zhǔn)的4個項(xiàng)目分別來自SiCSem、Continental Device India Private Limited(CDIL)、3D Glass Solutions Inc.(3DGS)和Advanced System in Package(ASIP)Technologies。

此次獲批的半導(dǎo)體項(xiàng)目計劃建設(shè)半導(dǎo)體制造工廠，累計投資額約460億盧比，預(yù)計將創(chuàng)造2034名技術(shù)專業(yè)人員的就業(yè)崗位，這將促進(jìn)電子制造業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展，并創(chuàng)造大量間接就業(yè)機(jī)會。

具體來看，奧里薩邦將承辦兩個項(xiàng)目——SiCSem和3DGS，旁遮普邦將迎來CDIL的設(shè)施擴(kuò)建，安得拉邦則將設(shè)立ASIP制造部門。

SiCSem將與英國Clas-SiC Wafer Fab Ltd合作，在奧里薩邦布巴內(nèi)斯瓦爾信息谷(Info Valley)建立印度首個商業(yè)化化合物半導(dǎo)體晶圓廠，旨在生產(chǎn)碳化硅器件，規(guī)劃年產(chǎn)能達(dá)6萬片晶圓及9600萬顆器件封裝能力。生產(chǎn)的產(chǎn)品將應(yīng)用于導(dǎo)彈、國防裝備、電動汽車(EV)、鐵路、快速充電器、數(shù)據(jù)中心機(jī)架、消費(fèi)電器和太陽能逆變器。

3DGS亦將在奧里薩邦的布巴內(nèi)斯瓦爾的信息谷(Info Valley)設(shè)立一個垂直整合的半導(dǎo)體先進(jìn)封裝和嵌入式玻璃基板生產(chǎn)基地，該基地將為印度帶來世界領(lǐng)先的封裝技術(shù)，包括集成無源元件及硅橋的玻璃中介層、3D異構(gòu)集成（3DHI）模塊等核心工藝。該基地規(guī)劃年產(chǎn)能為：6.96萬片玻璃面板基板、5000萬件封裝器件和1.32萬個3DHI先進(jìn)模塊。這些產(chǎn)品將用于國防、人工智能、高性能計算、射頻和汽車、光子學(xué)和共封裝光學(xué)等領(lǐng)域。

ASIP將與韓國APACT株式會社合作，計劃在安得拉邦建立半導(dǎo)體制造工廠，規(guī)劃年產(chǎn)能達(dá)9600萬件，用于手機(jī)、機(jī)頂盒、汽車和其他電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。

CDIL將擴(kuò)建其位于旁遮普邦莫哈里的分立器件半導(dǎo)體制造基地，擬生產(chǎn)高功率分立半導(dǎo)體器件，例如MOSFET、IGBT、肖特基二極管和晶體管，材料包括硅和碳化硅。擴(kuò)建后的工廠年產(chǎn)能將達(dá)到1.5838億件，為電動汽車、可再生能源、工業(yè)系統(tǒng)和電信基礎(chǔ)設(shè)施提供支持。

隨著4個半導(dǎo)體項(xiàng)目的獲批，印度半導(dǎo)體制造技術(shù)（ISM）下獲批半導(dǎo)體項(xiàng)目總數(shù)增至10個，覆蓋6個邦，總價值約1.6萬億盧比。