8月12日，全球晶圓代工龍頭臺積電（TSMC）披露，董事會已決定在未來兩年內(nèi)逐步退出6英寸晶圓制造業(yè)務(wù)，并持續(xù)整并8英寸晶圓產(chǎn)能。此舉對第三代半導(dǎo)體的碳化硅和氮化鎵產(chǎn)生了不同程度的影響。

臺積電 在聲明中指出，此項決定不會影響公司先前公布的財務(wù)目標(biāo)，即2025年美元營收將增長約30%的預(yù)期。同一天，臺積電董事會也核準(zhǔn)了超過206億美元的資本預(yù)算，用于建置先進(jìn)及成熟制程產(chǎn)能、廠房興建及廠務(wù)設(shè)施工程等，顯示其持續(xù)投資高階技術(shù)，并對成熟制程進(jìn)行策略調(diào)整的決心。

業(yè)務(wù)聚焦：退出6英寸，整并8英寸

在官方公告前，市場已流傳相關(guān)風(fēng)聲，有傳聞稱臺積電將關(guān)閉在臺灣的最后一座6英寸晶圓廠，并通知相關(guān)電源IC設(shè)計公司，此舉最終得到了官方證實。

公開資料顯示，臺積電的這座6英寸晶圓廠月產(chǎn)能約8.3萬片，營收占比不到0.5%，其戰(zhàn)略重要性已顯著降低。該廠主要采用0.45μm及以上 的成熟制程，生產(chǎn)傳感器、模擬電路和基礎(chǔ)功率器件等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、消費電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域。盡管這些產(chǎn)品在傳統(tǒng)且對成本敏感的市場中仍有穩(wěn)定需求，但其增長潛力已遠(yuǎn)不如先進(jìn)制程。

臺積電的這一戰(zhàn)略調(diào)整對業(yè)界產(chǎn)生了多方面的影響。首先，對于依賴其6英寸產(chǎn)能的客戶而言，訂單轉(zhuǎn)移成為首要挑戰(zhàn)。臺積電已提供了多種解決方案：部分訂單可能轉(zhuǎn)移至其12英寸產(chǎn)線以利用規(guī)模化優(yōu)勢，而另一部分則可能交由其子公司世界先進(jìn)接手，該公司作為成熟制程領(lǐng)域的專家，能確?？蛻艄?yīng)的平穩(wěn)過渡。

其次，此舉是臺積電優(yōu)化產(chǎn)能、布局未來的一項重要舉措。退出6英寸制造業(yè)務(wù)后，其閑置的廠區(qū)土地和廠房有望被重新利用。有分析認(rèn)為，臺積電很可能會將該廠址改造為 先進(jìn)封裝廠，以支持其在CoWoS和SoIC等技術(shù)領(lǐng)域的擴(kuò)張。這將有助于臺積電滿足日益增長的AI芯片對異質(zhì)整合（Heterogeneous Integration）的巨大需求。

此次調(diào)整背后有多重因素。一方面，6英寸晶圓制造業(yè)務(wù)的市場需求逐漸萎縮，而整合8英寸產(chǎn)能能夠顯著提升生產(chǎn)效率。另一方面，臺積電正在將資源向高利潤領(lǐng)域傾斜，例如高性能計算和AI芯片的先進(jìn)制程與封裝業(yè)務(wù)。值得注意的是，這與此前臺積電計劃退出氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)的決策一脈相承，其原因都包括業(yè)務(wù)優(yōu)先級重構(gòu)、市場競爭惡化以及供應(yīng)鏈風(fēng)險等因素。

氮化鎵（GaN）：戰(zhàn)略性退出與產(chǎn)能騰挪

臺積電退出6英寸制造業(yè)務(wù)，與此前其在氮化鎵業(yè)務(wù)上的動作緊密關(guān)聯(lián)。市場消息顯示，臺積電已計劃在未來兩年停止其晶圓五廠的GaN生產(chǎn)，并將其改造為先進(jìn)封裝產(chǎn)線。

這一決策背后有多重因素考量：臺積電的GaN業(yè)務(wù)主要在6英寸晶圓上進(jìn)行，營收貢獻(xiàn)低，其戰(zhàn)略優(yōu)先級被大幅下調(diào)。相較于利潤豐厚的先進(jìn)制程和供不應(yīng)求的先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)，GaN的戰(zhàn)略重要性顯著降低。

此外，此舉也為臺積電的GaN客戶提供了平穩(wěn)的過渡方案。作為臺積電GaN業(yè)務(wù)的主要客戶，納微半導(dǎo)體（Navitas）已未雨綢繆，與力積電（PSMC）建立了戰(zhàn)略合作關(guān)系，確保8英寸硅基氮化鎵技術(shù)的生產(chǎn)。這為臺積電的退出提供了平穩(wěn)的外部解決方案，也使力積電成為該市場的主要受益者。

最關(guān)鍵的是，退出GaN業(yè)務(wù)使得臺積電能夠?qū)⒃A五廠的廠房和無塵室直接轉(zhuǎn)用于先進(jìn)封裝。在AI芯片需求爆發(fā)的當(dāng)下，臺積電的CoWoS產(chǎn)能持續(xù)供不應(yīng)求。通過快速將低效能產(chǎn)線轉(zhuǎn)為高價值的先進(jìn)封裝產(chǎn)線，臺積電能夠迅速擴(kuò)充產(chǎn)能，鞏固其在AI芯片代工市場的絕對優(yōu)勢。

碳化硅（SiC）：多維度布局與強(qiáng)化合作

臺積電目前在碳化硅領(lǐng)域已有一定的技術(shù)儲備和產(chǎn)業(yè)布局。公司董事長劉德音曾透露，臺積電已經(jīng)開發(fā)了多種與碳化硅相關(guān)的高壓產(chǎn)品。

雖然臺積電并未直接運營大規(guī)模的SiC產(chǎn)線，但它通過多元化的產(chǎn)業(yè)布局，強(qiáng)化了自身在這一領(lǐng)域的競爭力。首先，臺積電在SiC領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)與工藝探索方面取得了顯著進(jìn)展，并正在探索將成熟工藝節(jié)點的產(chǎn)能升級為特殊工藝。此外，臺積電通過其子公司世界先進(jìn)（VIS）間接強(qiáng)化了SiC布局。

2024年，世界先進(jìn) 與漢磊科技 宣布計劃聯(lián)合建設(shè)一座8英寸晶圓廠，專門用于SiC芯片的生產(chǎn)。這種合作模式將漢磊科技在SiC領(lǐng)域的技術(shù)積累與臺積電在半導(dǎo)體制造方面的領(lǐng)先技術(shù)和產(chǎn)能管理能力相結(jié)合，實現(xiàn)了優(yōu)勢互補(bǔ)，共同加速8英寸SiC技術(shù)的開發(fā)和量產(chǎn)。

值得注意的是，臺積電與世界先進(jìn)的SiC項目直接定位于8英寸晶圓，而非更傳統(tǒng)的6英寸。這表明臺積電看到了8英寸SiC晶圓在未來電動汽車、工業(yè)電源等高增長市場的巨大潛力，并選擇以更先進(jìn)、更具規(guī)模效益的技術(shù)平臺切入，而非停留在6英寸的存量市場競爭。