晶圓代工廠商最新排名
HBM產(chǎn)業(yè)端動(dòng)態(tài)
NAND閃存生變局
字節(jié)跳動(dòng)入局新型存儲(chǔ)
三星出擊HBM
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目進(jìn)展

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晶圓代工廠商最新排名

TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年第四季全球前十大晶圓代工業(yè)者營(yíng)收季增7.9%，達(dá)304.9億美元，主要受惠于智能手機(jī)零部件拉貨動(dòng)能延續(xù)，包含中低端Smartphone AP與周邊PMIC，以及Apple新機(jī)出貨旺季，帶動(dòng)A17主芯片、周邊IC如OLED DDI、CIS、PMIC等零部件。其中，臺(tái)積電（TSMC）3nm高價(jià)制程貢獻(xiàn)營(yíng)收比重大幅提升，推升臺(tái)積電第四季全球市占率突破六成。

具體來看，臺(tái)積電第四季晶圓出貨較第三季成長(zhǎng)，帶動(dòng)營(yíng)收季增14%，達(dá)196.6億美元；三星（Samsung）晶圓代工事業(yè)營(yíng)收季減1.9%，達(dá)36.2億美元；格芯（GlobalFoundries）總體營(yíng)收大致與前季持平，來到約18.5億美元；聯(lián)電（UMC）第四季晶圓出貨下滑，影響營(yíng)收季減4.1%，約17.3億美元...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《研報(bào) | 前十大晶圓代工廠商最新營(yíng)收排名出爐》

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HBM產(chǎn)業(yè)端動(dòng)態(tài)

據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，目前2024年HBM（High Bandwidth Memory）市場(chǎng)主流為HBM3，NVIDIA新世代含B100或H200的規(guī)格則為最新HBM3e產(chǎn)品。不過，由于AI需求高漲，目前英偉達(dá)（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應(yīng)緊俏，除了CoWoS是供應(yīng)瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長(zhǎng)，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上所致。

圖片

吳雅婷表示，目前NVIDIA現(xiàn)有主攻H100的存儲(chǔ)器解決方案為HBM3，SK海力士是最主要供應(yīng)商，然而供應(yīng)不足以應(yīng)付整體AI市場(chǎng)所需。至2023年末，三星以1Znm產(chǎn)品加入NVIDIA供應(yīng)鏈，盡管比重仍小，但可視為三星于HBM3世代的首要斬獲...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《研報(bào) | HBM3原由SK海力士獨(dú)供，三星獲AMD驗(yàn)證通過將急起直追》

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NAND閃存生變局

NAND閃存芯片自去年第三季起開啟反彈，已連續(xù)多月上漲。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，在面對(duì)2024年市場(chǎng)需求展望仍保守的前提下，芯片價(jià)格走勢(shì)取決于供應(yīng)商產(chǎn)能利用率情況。近期，NAND閃存產(chǎn)業(yè)鏈動(dòng)態(tài)頻頻，部分廠商透露漲價(jià)意愿，或調(diào)升產(chǎn)能利用率。

主控芯片供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，NAND Flash第二季價(jià)格都已談完，會(huì)漲價(jià)20%；第一季部分供應(yīng)商開始獲利，第二季后會(huì)讓多數(shù)供應(yīng)商賺錢。

群聯(lián)CEO潘建成則認(rèn)為，SSD固態(tài)硬盤進(jìn)一步提價(jià)可能會(huì)嚴(yán)重降低市場(chǎng)需求，如果價(jià)格過高，需求將再次開始動(dòng)搖，并建議NAND制造商停止減產(chǎn)，開始滿足需求，而不是任由低供應(yīng)和高需求抬高價(jià)格...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《NAND閃存生變局？》

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字節(jié)跳動(dòng)入局新型存儲(chǔ)

當(dāng)下，新型存儲(chǔ)技術(shù)越來越受到業(yè)界的矚目，這一次ReRAM成為熒幕主角。市場(chǎng)最新動(dòng)態(tài)：知名互聯(lián)網(wǎng)科技公司字節(jié)跳動(dòng)悄然布局新型存儲(chǔ)技術(shù)ReRAM。

據(jù)天眼查信息，近日，昕原半導(dǎo)體（上海）有限公司發(fā)生工商變更，股東新增PICOHEART(SG)PTE.LTD.，后者持股約9.51%，成為第三大股東。同時(shí)該公司注冊(cè)資本增加4.64%。

據(jù)了解，PICOHEART(SG)PTE.LTD.是字節(jié)跳動(dòng)不久前于新加坡成立的新公司。此次投資，字節(jié)跳動(dòng)間接持股9.51%，成為昕原半導(dǎo)體的第三大股東。另?yè)?jù)媒體近日?qǐng)?bào)道，字節(jié)跳動(dòng)發(fā)言人證實(shí)了這一投資，并表示這是為了幫助推進(jìn)該公司虛擬現(xiàn)實(shí)頭顯設(shè)備的開發(fā)...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《字節(jié)跳動(dòng)，突擊ReRAM新型存儲(chǔ)》

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三星出擊HBM

AI狂歡熱潮下，HBM已然成為大廠們布局的重點(diǎn)，近期又一存儲(chǔ)大廠有新動(dòng)作。據(jù)《THE ELEC》外媒報(bào)道，三星電子擬設(shè)立HBM開發(fā)辦公室，以提高其HBM競(jìng)爭(zhēng)力。團(tuán)隊(duì)規(guī)模尚未確定，三星HBM工作組團(tuán)隊(duì)有望進(jìn)行升級(jí)。 

報(bào)道指出，如果該工作組升級(jí)為開發(fā)辦公室，屆時(shí)三星將組建專門針對(duì)HBM開發(fā)的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)和解決方案團(tuán)隊(duì)。開發(fā)辦公室的負(fù)責(zé)人將由副總裁級(jí)別人員擔(dān)任。

從研發(fā)進(jìn)度上看，三大廠對(duì)HBM的研發(fā)都已進(jìn)行到了HBM3E的階段。三星方面，2月份，該公司剛發(fā)布了首款36GB HBM3E 12H DRAM，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。目前，三星已開始向客戶提供HBM3E 12H樣品，預(yù)計(jì)于今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《HBM，又一半導(dǎo)體大廠出擊》

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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目進(jìn)展

近日，半導(dǎo)體領(lǐng)域多個(gè)項(xiàng)目迎來最新進(jìn)展，涉及晶圓制造、芯片封裝及測(cè)試、半導(dǎo)體設(shè)備、功率器件、第三代半導(dǎo)體材料等多個(gè)領(lǐng)域。

近日，據(jù)上杭融媒消息，福建晶旭半導(dǎo)體二期項(xiàng)目已完成三通一平工程量的90%，現(xiàn)正進(jìn)行地基施工中。

3月11日，廣州增芯科技有限公司12英寸先進(jìn)智能傳感器及特色工藝晶圓制造量產(chǎn)線項(xiàng)目迎來工廠最核心設(shè)備--光刻機(jī)搬入，標(biāo)志著增芯項(xiàng)目迎來項(xiàng)目建設(shè)的關(guān)鍵性節(jié)點(diǎn)，順利進(jìn)入調(diào)試投產(chǎn)準(zhǔn)備階段...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《廣州增芯、泰科天潤(rùn)、嘉興斯達(dá)等多個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目迎來最新動(dòng)態(tài)！》

封面圖片來源：拍信網(wǎng)