當(dāng)下，新型存儲技術(shù)越來越受到業(yè)界的矚目，這一次ReRAM成為熒幕主角。市場最新動態(tài)：知名互聯(lián)網(wǎng)科技公司字節(jié)跳動悄然布局新型存儲技術(shù)ReRAM。

字節(jié)跳動入股昕原半導(dǎo)體

據(jù)天眼查信息，近日，昕原半導(dǎo)體（上海）有限公司發(fā)生工商變更，股東新增PICOHEART(SG)PTE.LTD.，后者持股約9.51%，成為第三大股東。同時該公司注冊資本增加4.64%。

據(jù)了解，PICOHEART(SG)PTE.LTD.是字節(jié)跳動不久前于新加坡成立的新公司。此次投資，字節(jié)跳動間接持股9.51%，成為昕原半導(dǎo)體的第三大股東。另據(jù)媒體近日報道，字節(jié)跳動發(fā)言人證實了這一投資，并表示這是為了幫助推進(jìn)該公司虛擬現(xiàn)實頭顯設(shè)備的開發(fā)。

△圖片來源：天眼查信息截圖

工商信息顯示，昕原半導(dǎo)體（上海）有限公司成立于2019年10月，法定代表人為XIANG ZHANG，注冊資本約3346.96萬人民幣，經(jīng)營范圍含集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)、電子元器件制造、計算機軟硬件及輔助設(shè)備零售等。

據(jù)官網(wǎng)介紹，被投資方昕原半導(dǎo)體成立于2019年，專注于ReRAM新型存儲技術(shù)及相關(guān)芯片產(chǎn)品的研發(fā)，涵蓋高性能工控/車規(guī)SoC/ASIC芯片、存算一體（Computing in Memory, CIM）IP及芯片、系統(tǒng)級存儲（System-on-Memory, SoM）芯片三大應(yīng)用領(lǐng)域。

昕原半導(dǎo)體掌握一體化閉環(huán)技術(shù)能力，覆蓋器件材料、工藝制程、芯片設(shè)計、IP設(shè)計和中試量產(chǎn)等諸多環(huán)節(jié)。由昕原自主建設(shè)的中國大陸首條先進(jìn)制程 ReRAM 12寸中試后道生產(chǎn)線已順利通線。另外，該公司“昕·山文” 系列ReRAM安全存儲產(chǎn)品，率先實現(xiàn)了先進(jìn)制程 ReRAM在工業(yè)自動化控制領(lǐng)域的商用量產(chǎn)。

字節(jié)跳動布局芯片之路

相比阿里、百度、騰訊等同行公司，字節(jié)跳動布局芯片的時間要晚一些。2020年，半導(dǎo)體行業(yè)步入下行周期，全球芯片供應(yīng)鏈?zhǔn)艿經(jīng)_擊，在此之下，字節(jié)跳動啟動了自研芯片計劃。

2021年，字節(jié)跳動計劃組建AI芯片團(tuán)隊，面向市場招兵買馬，以進(jìn)軍半導(dǎo)體行業(yè)。

芯片研發(fā)規(guī)劃上，據(jù)消息稱字節(jié)跳動將從自行研發(fā)云端AI芯片和安謀（Arm）架構(gòu)的服務(wù)器芯片切入。字節(jié)跳動的芯片研發(fā)主要包含服務(wù)器芯片、AI芯片、視頻云芯片等領(lǐng)域。

對于互聯(lián)網(wǎng)公司加入芯片戰(zhàn)局的舉動，業(yè)界認(rèn)為主要有兩方面的利好，一方面可以減輕對協(xié)力供應(yīng)商的依賴，另一方面是借由自行研發(fā)芯片降低成本。

除了保持芯片研發(fā)步伐，字節(jié)跳動把目光放到投資領(lǐng)域。值得一提的是，昕原半導(dǎo)體并不是字節(jié)跳動投資的唯一一家國產(chǎn)芯片公司，據(jù)不完全統(tǒng)計，字節(jié)跳動還投資了AI芯片公司希姆計算、GPU芯片設(shè)計獨角獸摩爾線程、RISC-V公司睿思芯科、泛半導(dǎo)體行業(yè)智能制造商潤石科技、數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)芯片公司云脈芯聯(lián)、開發(fā)衍射光學(xué)芯片的公司光舟半導(dǎo)體等。

潛力新技術(shù)ReRAM，蟄伏待機

資料顯示，ReRAM（RRAM）全稱為Resistive Random Access Memory，電阻式隨機存取存儲器，是以非導(dǎo)性材料的電阻在外加電場作用下，在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的非易失性存儲器。該技術(shù)具備一般小于100ns的高速度、耐久性強、多位存儲能力的特點。

1962年, T.W. Hickmott在研究Al/SiO2/Au,Al/Al2O3/Au,Ta/Ta2O5/Au等結(jié)構(gòu)的電流電壓特性曲線時發(fā)現(xiàn)了金屬氧化物介質(zhì)層在特定情況下可以發(fā)生阻變現(xiàn)象。這一發(fā)現(xiàn)奠定了未來ReRAM技術(shù)的基礎(chǔ)。

相比其他技術(shù)，ReRAM被稱為結(jié)構(gòu)最簡單的存儲技術(shù)。該技術(shù)結(jié)構(gòu)看上去像一個三明治，絕緣介質(zhì)層（阻變層）被夾在兩層金屬之間，形成由上、下電極和阻變層構(gòu)成金屬-介質(zhì)層-金屬（metal-insulator-metal，簡稱MIM）三層結(jié)構(gòu)。這種金屬-介質(zhì)層-金屬（MIM）三明治結(jié)構(gòu)，在偏壓變化時電阻會在高、低兩種狀態(tài)間切換。

△圖片來源：昕原半導(dǎo)體官網(wǎng)截圖

從類別上看，ReRAM被分為許多不同的技術(shù)類別，包括氧空缺存儲器 (OxRAM，Oxygen Vacancy Memories)、導(dǎo)電橋存儲器 (CBRAM，Conductive Bridge Memories)、金屬離子存儲器 (MeRAM，Metal Ion Memories)、憶阻器 (Memristors)、以及納米碳管 (CaRAM，Carbon Nano-tubes)。

業(yè)界指出，ReRAM可以將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身，因此其擁有了擦寫速度高、耐久性強、單個存儲單元能存儲多位數(shù)據(jù)的優(yōu)勢，并且它的功耗極低。在新興的存儲技術(shù)中，ReRAM技術(shù)更適合在存儲單元中采用多級存儲，有利于降低存儲器計算的能耗、提高成本效益。

近年來，Crossbar、英特爾、富士通、三星、UMC、Adesto、臺積電、英飛凌等國際廠商正在重點布局。其中，2018年兆易創(chuàng)新和Rambus宣布合作建立合資企業(yè)合肥?？莆?，進(jìn)行ReRAM技術(shù)的商業(yè)化，但目前還無量產(chǎn)消息。2021年，臺積電代工廠的40納米ReRAM技術(shù)成功進(jìn)入量產(chǎn)，28納米和22納米節(jié)點也可作為物聯(lián)網(wǎng)市場的低成本解決方案。2022年12月，英飛凌宣布基于臺積電28納米eFlash技術(shù)的Autrix TC4x系列微控制器樣品已經(jīng)交付給主要客戶，其基于臺積電28納米ReRAM技術(shù)的第一批樣品將于2023年底提供給客戶。

此外，Rambus Labs高級副總裁Gary Bronner曾強調(diào)，RRAM的功耗比閃存低得多，可能是下一代MCU的一個關(guān)鍵差異化因素。此外，在2016年《Application study: RRAM for Low-Power Microcontrollers》論文曾指出，RRAM的一個可能應(yīng)用領(lǐng)域就是MCU中所有易失性存儲器的備份存儲器。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)