·設(shè)立專屬客戶展館，深化與客戶的交流
·首次亮相16層 48GB HBM4，全面展示SOCAMM2、LPDDR6等AI專用與通用產(chǎn)品
·打造“AI系統(tǒng)演示區(qū)”，可視化呈現(xiàn)定制化HBM架構(gòu)，展現(xiàn)公司前瞻性技術(shù)實力
·“將依托差異化存儲器解決方案與客戶緊密協(xié)作，持續(xù)創(chuàng)造全新價值”

2026年1月6日，SK海力士宣布，公司將于當(dāng)?shù)貢r間1月6日至9日，在美國拉斯維加斯舉辦的“CES 2026”威尼斯人會展中心設(shè)立專屬客戶展館，并集中展示面向AI的下一代存儲器解決方案。

公司表示：“本次展覽以‘AI技術(shù)創(chuàng)新賦能可持續(xù)未來（Innovative AI，Sustainable Tomorrow）’為主題，全面展示專為AI優(yōu)化的下一代存儲器解決方案。公司將依托與全球客戶的深入交流與緊密合作，共創(chuàng)AI時代下的全新價值。”

此前，SK海力士在CES展會上一直同步運(yùn)營SK集團(tuán)聯(lián)合展館及專屬客戶展館。今年，公司將重點(diǎn)聚焦專屬客戶展館，著力拓展與核心客戶的對接渠道，深入探討切實可行的合作方案。

本次展會上，公司將首次亮相下一代HBM產(chǎn)品“16層 48GB HBM4”。該產(chǎn)品是繼此前實現(xiàn)業(yè)界最高速率11.7Gbps的12層 36GB HBM4之后的后續(xù)版本，目前正根據(jù)客戶需求穩(wěn)步推進(jìn)研發(fā)工作。

此外，公司還將展出有望引領(lǐng)2026年HBM市場的12層 36GB HBM3E產(chǎn)品，并同步展出搭載該產(chǎn)品的全球客戶AI服務(wù)器GPU模塊，直觀展現(xiàn)HBM3E在AI系統(tǒng)中的核心應(yīng)用價值。

除HBM之外，還將重點(diǎn)展出面向AI服務(wù)器的低功耗內(nèi)存模組SOCAMM2，憑借豐富多元的產(chǎn)品矩陣，充分彰顯公司在應(yīng)對激增的AI服務(wù)器需求方面的綜合競爭實力。

與此同時，SK 海力士將展示針對AI應(yīng)用優(yōu)化的通用存儲器產(chǎn)品系列，全面彰顯其在全球存儲器市場中的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。其中代表性產(chǎn)品包括LPDDR6，該產(chǎn)品專為端側(cè)AI場景進(jìn)行深度優(yōu)化，相較前代產(chǎn)品在數(shù)據(jù)處理速度和能效方面實現(xiàn)了顯著提升。

在NAND閃存方面，公司將展出321層2Tb（太比特）QLC產(chǎn)品，專為滿足AI數(shù)據(jù)中心市場對超高容量企業(yè)級固態(tài)硬盤日益增長的需求而打造。該產(chǎn)品具備當(dāng)前業(yè)界最高水平的集成度，相較上一代QLC產(chǎn)品，在性能與能效方面均實現(xiàn)大幅提升，尤其適用于對低功耗控制要求嚴(yán)苛的AI數(shù)據(jù)中心環(huán)境，展現(xiàn)出顯著的競爭優(yōu)勢。

公司還設(shè)立了“AI系統(tǒng)演示區(qū)”，集中呈現(xiàn)面向AI系統(tǒng)的存儲解決方案產(chǎn)品如何協(xié)同構(gòu)建高效AI生態(tài)體系。

在此演示區(qū)內(nèi)，將集中演示多款創(chuàng)新產(chǎn)品與技術(shù)，包括：專為特定AI芯片或系統(tǒng)需求優(yōu)化的定制化HBM*、基于PIM*架構(gòu)的AiMX*、支持存內(nèi)計算的CuD*、在CXL*內(nèi)存上融合運(yùn)算功能的CMM-Ax*，以及數(shù)據(jù)感知型存儲CSD*等。

其中，針對業(yè)界廣泛關(guān)注的定制化HBM技術(shù)，公司特別設(shè)置了可視化展示裝置，直觀呈現(xiàn)其創(chuàng)新性的內(nèi)部架構(gòu)設(shè)計。隨著AI市場競爭焦點(diǎn)從單純追求性能，逐步轉(zhuǎn)向推理效率提升與成本優(yōu)化，公司將原來由GPU或基于ASIC的AI芯片承擔(dān)的部分運(yùn)算與控制功能集成至 HBM內(nèi)部。該展示即是對這一全新架構(gòu)設(shè)計方案的可視化呈現(xiàn)。

SK海力士AI Infra擔(dān)當(dāng)金柱善社長（CMO，Chief Marketing Officer）表示：“隨著AI引發(fā)的創(chuàng)新持續(xù)加速，客戶的技術(shù)需求也在快速迭代升級。公司將憑借差異化的存儲解決方案，積極響應(yīng)客戶需求；同時，將堅持與客戶緊密協(xié)作，為AI生態(tài)的繁榮發(fā)展持續(xù)創(chuàng)造全新價值。”

* 定制化HBM（cHBM，Custom HBM）：根據(jù)客戶需求，將原本由GPU或ASIC芯片承擔(dān)的部分功能集成至HBM基礎(chǔ)裸片（Base Die）的產(chǎn)品。隨著AI市場的發(fā)展方向從通用性轉(zhuǎn)向推理效率提升與成本優(yōu)化，HBM也正從標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品向客戶定制化方向升級。該產(chǎn)品有望最大化提升GPU與ASIC的性能表現(xiàn)，并降低HBM與處理器之間的通信功耗，從而全面提升系統(tǒng)效率。

* PIM（Processing-In-Memory）：一種在存儲器中增加計算功能，解決AI和大數(shù)據(jù)處理中數(shù)據(jù)傳輸瓶頸，并大幅提升速度性能的新一代存儲技術(shù)。

* AiMX（Accelerator-in-Memory based Accelerator）：基于SK海力士PIM產(chǎn)品GDDR6-AiM芯片、專為大規(guī)模語言模型（LLM）優(yōu)化的加速器原型（Prototype）。

* CuD（Compute-using-DRAM）：在半導(dǎo)體存儲器的最小存儲單元（Cell）中直接執(zhí)行簡單運(yùn)算，從而加速系統(tǒng)數(shù)據(jù)處理的下一代存儲器產(chǎn)品。

* CXL（Compute Express Link）：一種在高性能計算系統(tǒng)中高效連接CPU、GPU與存儲器、支持高容量存儲擴(kuò)展的互聯(lián)協(xié)議（Interconnect Protocol）。

* CMM-Ax（CXL Memory Module-Accelerator xPU）：為了提升下一代服務(wù)器的性能與能效，在CXL產(chǎn)品上融合運(yùn)算功能的內(nèi)存模塊原型（Prototype）。

* CSD（Computational Storage Drive）：一種能夠在存儲器內(nèi)部直接感知、分析、執(zhí)行數(shù)據(jù)處理的存儲設(shè)備。