在AI芯片競爭日趨白熱化之際，龍頭廠商英偉達（Nvidia）為了保持領(lǐng)先的競爭力，據(jù)傳已經(jīng)獨家取得臺積電即將推出的A16半導(dǎo)體制程產(chǎn)能。此項獨家合作不僅確保了英偉達在未來芯片技術(shù)上的領(lǐng)先地位，同時也在先進封裝產(chǎn)能吃緊的情況下，凸顯了先進封裝成為決定AI芯片供應(yīng)鏈的關(guān)鍵瓶頸之一。

據(jù)外媒報道，英偉達與臺積電目前正在針對A16制程進行聯(lián)合測試。A16制程代表著下一代芯片技術(shù)，其特點在于采用了納米片晶體管（nanosheet transistors）和超級電軌（Super Power Rail）技術(shù)。英偉達預(yù)計將利用A16節(jié)點制程來生產(chǎn)其下一代Feynman GPU架構(gòu)，該架構(gòu)預(yù)計在2028年發(fā)布。

值得注意的是，A16制程技術(shù)對GPU的先進封裝提出了更高的要求，當中需要更多的硅穿孔（TSV,Through-Silicon Via）通道，以具備更好的連接與散熱控制能力。事實上，先進封裝技術(shù)，特別是臺積電的CoWoS已成為AI芯片供應(yīng)的關(guān)鍵瓶頸，而英偉達在此戰(zhàn)局中占據(jù)極大優(yōu)勢。根據(jù)資料顯示，英偉達在2025年訂購了臺積電CoWoS-L年產(chǎn)能的70%。

在此情況下，臺積電CoWoS產(chǎn)能吃緊，也為委外封裝測試服務(wù)供應(yīng)商（OSATs）和設(shè)備制造商創(chuàng)造了市場機會。為了應(yīng)對這一瓶頸，臺積電正積極開發(fā)替代方案，包括CoPoS，以及計劃中的晶圓級封裝，通過引入新的設(shè)備和合作伙伴，滿足市場龐大的需求。

另外，HBM的供應(yīng)與先進封裝同樣影響著AI芯片的競爭格局。目前HBM3E的堆疊高度為12層。未來，HBM4有望達到16層堆疊，這很可能需要使用混合鍵合（hybrid bonding）技術(shù)，特別是在HBM4E上。在此情況下，先進封裝的產(chǎn)能瓶頸讓HBM4供應(yīng)商感到緊張。

此外，面對供應(yīng)鏈的限制，大型云端服務(wù)供應(yīng)商及其芯片新創(chuàng)公司正受到臺積電CoWoS供應(yīng)短缺的影響。為了降低對外部供應(yīng)商的依賴，業(yè)界正采取多項戰(zhàn)略，包括建立替代的封裝生產(chǎn)線，以及轉(zhuǎn)向垂直整合。其中，垂直整合就代表著將設(shè)計到制造堆疊的更多環(huán)節(jié)納入自身掌控，以確保供應(yīng)鏈的韌性。

總體而言，英偉達通過鎖定臺積電最尖端的A16制程，結(jié)合其在CoWoS產(chǎn)能上的巨大預(yù)留量，在下一代AI芯片的競爭中筑起了高聳的壁壘。而產(chǎn)業(yè)其他參與者則必須通過創(chuàng)新封裝技術(shù)和實施垂直整合策略，以打破當前的供應(yīng)鏈瓶頸，爭奪未來的AI算力市場