海特高新于9月4日在互動平臺上宣布，旗下珠海華芯微電子有限公司（簡稱華芯微電子）已成功建立國內(nèi)首條6英寸（6寸）化合物半導(dǎo)體商用生產(chǎn)線，這標(biāo)志著中國在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來重要突破。該6寸砷化鎵（GaAs）晶圓生產(chǎn)線已正式調(diào)通，成功產(chǎn)出第一片2微米工藝HBT晶圓，并計劃于2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

華芯微電子開發(fā)了包括GaAs有源及無源制程、氮化鎵（GaN）功率芯片和射頻功放芯片制程、光電感知芯片制程以及碳化硅（SiC）功率芯片制程等多種成熟工藝，覆蓋了化合物半導(dǎo)體的多個關(guān)鍵技術(shù)方向，為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新打下堅實基礎(chǔ)。該生產(chǎn)線主要服務(wù)于微波集成電路（MMIC）及VCSEL芯片生產(chǎn)，面向5G通信、雷達、光通信和新能源領(lǐng)域需求。

格創(chuàng)·華芯半導(dǎo)體園區(qū)作為項目載體，由格力集團投資33.87億元打造，是廣東省重點項目和珠海市產(chǎn)業(yè)支柱項目，體現(xiàn)了地方政府和行業(yè)對射頻及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略支持。海特高新對此表示高度期待，將持續(xù)關(guān)注行業(yè)最新技術(shù)發(fā)展和市場動態(tài)。