9月10號，長飛先進宣布，公司武漢基地主體樓已全面封頂，包括晶圓廠、封測廠、外延廠、宿舍樓與綜合樓。

據(jù)此前消息，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產，致力于打造一個集芯片設計、制造及先進技術研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導體制造基地。項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設內容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產配套用房設施等。

據(jù)悉 ，長飛先進武漢基地將于10月開始搬入首批設備，并于2025年6月實現(xiàn)量產通線。項目投產后可年產36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應用于新能源汽車、光儲充等領域。

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