5月2日，晶圓代工大廠力積電在苗栗銅鑼的12英寸晶圓新廠舉行啟用典禮。力積電表示，銅鑼新廠從2021年3月動土興建，耗時約3年落成啟用?？偼顿Y額超3000億元新臺幣（約合人民幣660億元），主要生產(chǎn)55、40、28納米制程的芯片，預(yù)計月產(chǎn)能可達5萬片。

圖片來源：力積電

據(jù)力積電消息，銅鑼新廠已完成首批設(shè)備安裝，并投入試產(chǎn)，將成為推進制程技術(shù)、爭取大型國際客戶訂單的主力平臺。未來還計劃在同一廠區(qū)內(nèi)增建第二期廠房以應(yīng)對業(yè)務(wù)增長。

此外，力積電與日本SBI控股株式會社計劃攜手在日本宮城縣興建晶圓廠。SBI 會長表示，該座宮城晶圓廠投產(chǎn)時間從原先規(guī)劃的2027年提前至2026年。據(jù)悉，該座晶圓廠預(yù)定會在2024年內(nèi)動工。

上述宮城晶圓廠將分為2期工程，第1期工程月產(chǎn)能為1萬片（以12英寸硅晶圓換算），將生產(chǎn)40納米、55納米晶圓，第2期工程預(yù)計2029年投產(chǎn)，除上述40納米、55納米產(chǎn)品之外，也將生產(chǎn)28納米以及活用WoW（Wafer-on-Wafer）技術(shù)的芯片，月產(chǎn)能將達4萬片。

行業(yè)今年迎晶圓廠投資高峰，日本成投資熱門地

近兩年，全球晶圓廠投資熱度只增不減，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計，近期，包括臺積電、Rapidus、瑞薩電子、力積電、臺積電、聯(lián)電、三星、英特爾、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)等都已陸續(xù)宣布擴產(chǎn)動態(tài)，其中多家新廠集中于日本。行業(yè)人士表示，日本的芯片制造布局已逐步涵蓋從成熟制程到先進工藝的進階路線。

據(jù)悉，臺積電位于日本熊本縣的工廠已經(jīng)在今年2月下旬正式開業(yè)，該工廠采用22/28納米以及12/16納米制程技術(shù)，計劃于年底開始量產(chǎn)。同時，臺積電將與索尼、電裝、豐田汽車等合作伙伴共同增資其日本公司JASM，并于年內(nèi)開工建設(shè)日本第二工廠，目標是2027年實現(xiàn)量產(chǎn)，并可望將制程推進至6納米。此外，能夠生產(chǎn)3納米芯片的“三廠”也在考慮之中。前行業(yè)消息顯示，日本政府為JASM晶圓廠的開發(fā)提供4760億日元（32億美元）的補貼，占該設(shè)施支出86億美元的大部分。

Rapidus則是日本當(dāng)紅新星。日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省近日宣布，2024年度將向Rapidus最多提供5900億日元補貼。該公司于2022年在日本政府支持下由8家相關(guān)企業(yè)聯(lián)合設(shè)立，目標是在2025年啟動2納米邏輯芯片試產(chǎn)，2027年大規(guī)模量產(chǎn)。值得注意的是，過去日本政府對Rapidus的支持主要集中在半導(dǎo)體制造的“前工序”，而今年將首次對“后工序”技術(shù)開發(fā)提供補貼，規(guī)模約為535億日元。

鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)則已在日本三重縣四日市建設(shè)了一座12英寸合資工廠，今年2月消息，日本向鎧俠和西部數(shù)據(jù)提供2429億日元（約合16.4億美元）補貼，幫助鎧俠和西部數(shù)據(jù)在三重縣和巖手縣擴大存儲芯片生產(chǎn)。

瑞薩電子則于4月11日宣布，為增加IGBT等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)能正式重啟此前已經(jīng)關(guān)閉的位于日本山梨縣的甲府工廠。該公司承諾斥資900億日元在現(xiàn)有工廠安裝一條12英寸硅片生產(chǎn)線。據(jù)悉，計劃于2024年實現(xiàn)量產(chǎn)，瑞薩電子預(yù)計將獲得日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的支持。

此前，東芝電子元件及存儲裝置公司（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）宣布，將在日本石川縣的主要分立器件生產(chǎn)基地（加賀東芝電子公司）打造一座新的12英寸晶圓制造設(shè)施，以擴大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能，該工廠第一階段生產(chǎn)計劃將今年內(nèi)啟動。據(jù)悉，東芝和羅姆半導(dǎo)體達成一項協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，東芝能美功率半導(dǎo)體工廠將開始與羅姆在宮崎縣國富市新開發(fā)的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體工廠進行生產(chǎn)整合。消息人士稱，此次合作預(yù)計將獲得政府補貼，相當(dāng)于該項目投資的三分之一。

2025年后，美光位于日本的廣島工廠也將開始生產(chǎn)最先進產(chǎn)品“1γ(Gamma)”DRAM，且美光計劃在廣島工廠生產(chǎn)生成式AI用高寬頻存儲器(HBM)。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)