近期媒體報道，新創(chuàng)晶圓代工廠Raapidus董事長東哲郎在SEMICON Japan 2023演講時表示，相信日本能夠在超先進(jìn)晶圓制造技術(shù)競賽上，迎頭趕上領(lǐng)先者臺積電與英特爾等，從此縮短多達(dá)20年的落后差距。

東哲郎表示，Rapidus 北海道建廠計劃一定會成功，并且大約在 2027~2028 年期間，相關(guān)制程技術(shù)將發(fā)生改變。因?yàn)?，新興的晶體管架構(gòu)GAA（全環(huán)繞柵極排列）將取代目前主流的FinFET架構(gòu)，推動半導(dǎo)體制造的進(jìn)步，可以生產(chǎn)2納米及以下先進(jìn)制程的芯片。

東哲郎強(qiáng)調(diào)，半導(dǎo)體市場正朝著具有特定功能的產(chǎn)品，而不是以通用型芯片的方向來發(fā)展，Rapidus希望能夠在這個過渡期搶進(jìn)市場當(dāng)中，并能夠得到日本半導(dǎo)體設(shè)備和化學(xué)品相關(guān)公司的全力支持。

當(dāng)前，日本正在向 Rapidus 提供數(shù)千億日圓的資金援助，以使得能在日本北海道千歲市設(shè)立先進(jìn)制程晶圓廠。該晶圓廠預(yù)計研發(fā)及生產(chǎn)2納米及其以下先進(jìn)制程，預(yù)計最快將在2025年建立第一條原型產(chǎn)線。同時該公司也與IBM、ASML等開展深度合作，Rapidus也已經(jīng)派遣100名工程師到IBM學(xué)習(xí)2納米芯片生產(chǎn)全環(huán)柵（GAA）電晶體技術(shù)。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)