近日，浙江省發(fā)展改革委公布了2023年省重點建設(shè)項目形象進(jìn)度計劃。根據(jù)項目名單，此次上榜的項目共534個，總投資3.5萬億元。

據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計，此次共有近15個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目上榜，涉及功率半導(dǎo)體、碳化硅、半導(dǎo)體封裝、光刻材料、半導(dǎo)體硅片等，如杭州士蘭集昕微年產(chǎn)36萬片12英寸生產(chǎn)線項目、嘉興斯達(dá)微電子高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、長電集成電路（紹興）300mm集成電路中道先進(jìn)封裝生產(chǎn)線項目、中芯紹興二期晶圓制造項目（第一階段）、紹興比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目等。

以下為部分項目介紹：

士蘭集昕年產(chǎn)36萬片12英寸生產(chǎn)線項目

項目投資額：39億元
計劃建設(shè)內(nèi)容與規(guī)模：建設(shè)年產(chǎn)36萬片的12英寸功率半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線
項目介紹：2022年10月，士蘭微披露再融資預(yù)案，將募集資金65億元用于12英寸芯片生產(chǎn)線、SiC功率器件生產(chǎn)線和汽車半導(dǎo)體封裝項目的建設(shè)。

其中，12英寸芯片生產(chǎn)線項目將建設(shè)形成一條年產(chǎn)36萬片12英寸功率芯片生產(chǎn)線，用于生產(chǎn)FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET功率芯片產(chǎn)品；項目達(dá)產(chǎn)后，新增FS-IGBT功率芯片12萬片/年、T-DPMOSFET功率芯片12萬片/年和SGT-MOSFET功率芯片12萬片/年的生產(chǎn)能力。

中芯紹興二期晶圓制造項目（第一階段）

項目投資額：110億元
計劃建設(shè)內(nèi)容與規(guī)模：建設(shè)一條年產(chǎn)84萬片的特色工藝集成電路生產(chǎn)線，工藝可達(dá)65nm。
項目介紹：根據(jù)此前資料，項目總建筑面積約22.8萬㎡，新建生產(chǎn)廠房、硅烷站、動力工廠等建筑，通過擬購買設(shè)備，建設(shè)一條年產(chǎn)84萬片的特色工藝集成電路生產(chǎn)線。該項目的建成，將滿足8英寸硅基技術(shù)和市場的旺盛需求，進(jìn)一步擴大中芯紹興在微機電（MEMS）和功率器件的市場占有率。

根據(jù)規(guī)劃，該項目計劃2023年將實現(xiàn)部分建成投產(chǎn)。

嘉興斯達(dá)高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目

項目投資額：20億元
計劃建設(shè)內(nèi)容與規(guī)模：新增用地279畝，新建生產(chǎn)廠房、動力樓、危化倉庫等建構(gòu)筑物，新增建筑面積206000平方米，達(dá)產(chǎn)后形成年產(chǎn)36萬片功率芯片生產(chǎn)能力。
項目介紹：2021年6月，斯達(dá)半導(dǎo)體募資35億元建設(shè)4個項目，其中高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目總投資15億元，SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目投資5億元。

根據(jù)“南湖區(qū)人民政府”今年4月底發(fā)文，斯達(dá)在浙江省嘉興市南湖區(qū)建設(shè)的高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，目前其兩幢廠房已開始調(diào)試設(shè)備，其他廠房正在等待驗收，預(yù)計將于今年四季度投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)72萬片功率芯片的生產(chǎn)能力。

長電（紹興）300mm集成電路中道先進(jìn)封裝生產(chǎn)線項目

項目投資額：約80億元
計劃建設(shè)內(nèi)容與規(guī)模：總用地面積522畝，總建筑面積約47.3萬平方米，建設(shè)廠房、生產(chǎn)線等。
項目介紹：根據(jù)此前的資料顯示，該項目建成后將成為國內(nèi)最先進(jìn)的封裝測試基地，達(dá)產(chǎn)后年收入可達(dá)34億元，產(chǎn)品主要面向5G通信、人工智能、高性能計算以及自動駕駛等領(lǐng)域，將在高端晶圓級封裝領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)、應(yīng)用、產(chǎn)品的不斷突破，極大地推動國內(nèi)高端產(chǎn)業(yè)鏈的提升和發(fā)展。

根據(jù)規(guī)劃，該項目計劃在2023年進(jìn)行設(shè)備安裝調(diào)試并實現(xiàn)部分投產(chǎn)。

東陽華芯年產(chǎn)8000噸光刻材料新建項目

項目投資額：24.7億元
計劃建設(shè)內(nèi)容與規(guī)模：用地214.86畝，建設(shè)面積9.89萬平方米
項目介紹：此前的資料顯示，項目規(guī)劃年產(chǎn)8000噸光刻材料，主要包括ArF光刻膠系列（包含單體和樹脂合成）、KrF光刻膠系列（包含單體和樹脂合成）、半導(dǎo)體厚膜封裝膠、半導(dǎo)體用光敏性聚酰亞胺（PSPI）、PCB油墨、三羥甲基丙烷、三丙烯酸酯等配套試劑。

該項目致力在東陽打造全產(chǎn)業(yè)鏈的智慧型的中高端半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)基地。項目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計實現(xiàn)年主營業(yè)務(wù)收入不低于20億元。

根據(jù)規(guī)劃，該項目計劃在2023年完成第一階段建設(shè)、試運行。

廣芯微6英寸高端特色硅基晶圓代工項目

項目投資額：24億元
計劃建設(shè)內(nèi)容與規(guī)模：總用地148畝，建筑面積12.65萬平方米，形成年產(chǎn)120萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力。
項目介紹：根據(jù)項目投資方之一民德電子此前公告，項目建設(shè)全部完成投產(chǎn)后，可實現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導(dǎo)體晶圓及年產(chǎn)3.6萬片第三代半導(dǎo)體碳化硅等晶圓的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)值達(dá)30億元。民德電子曾透露，廣芯微電子項目預(yù)計將于2023年上半年投產(chǎn)，

該項目于2月11日正式開工建設(shè)，2022年6月，浙江廣芯微電子6英寸高端特色硅基晶圓代工項目封頂。根據(jù)規(guī)劃，該項目計劃2023年完成項目主體工程施工。

浙江旺榮8英寸功率器件項目

項目投資額：23.8億元
計劃建設(shè)內(nèi)容與規(guī)模：總用地102畝，主要建設(shè)兩條年產(chǎn)24萬片的8英寸功率器件生產(chǎn)線，其中FRD芯片2.4萬片/年、MOSFET芯片10.8萬片/年、IGBT芯片10.8萬片/年。
項目介紹：據(jù)“麗水經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)”此前消息，浙江旺榮8英寸功率器件項目是麗水市首個8英寸晶圓制造項目，該項目分為兩期，此次封頂?shù)氖且黄陧椖浚顿Y約24億元，計劃2023年8月投產(chǎn)，實現(xiàn)月產(chǎn)2萬片8英寸晶圓的生產(chǎn)能力。二期將在2024年中旬開工建設(shè)，兩期項目總投資達(dá)50億元，全部達(dá)成后將實現(xiàn)年產(chǎn)72萬片8英寸功率器件芯片，產(chǎn)值達(dá)60億元。

2022年8月，浙江旺榮8英寸功率器件項目正式開工動土，同年12月底，該項目正式封頂。根據(jù)規(guī)劃，該項目計劃2023年完成項目主體工程施工。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)