近日，國內又一批半導體項目迎來新進展，涉及IGBT、碳化硅、氮化鎵、MLCC、半導體設備等領域。

一、多個項目開工

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半導體封裝測試設備智能制造基地項目

據蘇州高新區(qū)發(fā)布消息，1月11日，速騰電子研發(fā)生產總部暨半導體封裝測試設備智能制造基地項目開工，將成為集研發(fā)生產一體的總部和智能制造基地。

2006年，速騰電子正式落戶蘇州高新區(qū)，一直致力于光通信光模塊、半導體探針等零部件的研發(fā)生產，是一家高精度產品制造企業(yè)。

速騰電子研發(fā)生產總部暨半導體封裝測試設備智能制造基地項目建設總面積超4萬平方米，建成后將成為集研發(fā)生產一體的總部和智能制造基地，計劃量產半導體封裝測試設備、汽車模組、光模塊等項目。

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人民控股高端硅基芯片封裝項目

據亭湖發(fā)布消息，1月10日，江蘇省鹽城市舉行高質量發(fā)展產業(yè)項目推進活動，開工和簽約22個產業(yè)項目，其中，開工項目包括人民控股高端硅基芯片封裝項目。

人民控股高端硅基芯片封裝項目由人民控股集團投資建設，計劃總投資9億元，2023年計劃投資3億元。項目占地144畝，新建生產廠房及附屬設施約12.8萬平方米，購置生產設備2000臺套，建設高端硅基和碳化硅芯片封裝生產線。項目全部建成投產后，可年產6寸高端硅基晶圓120萬片、IC封測48億顆。

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“三星半導體存儲芯片”等項目

據鳳凰網江蘇消息，1月3日，蘇州工業(yè)園區(qū)2023年一季度重大項目集中開工儀式舉行。

本次集中開工的49個產業(yè)項目包括SEW-電機智能制造項目、三星半導體存儲芯片項目、科陽半導體先進封裝項目、聯東U谷項目、光格總部大樓項目、天臣國際醫(yī)療總部基地項目、賽芯科技總部項目、源卓光電總部項目等。

據了解，今年一季度，蘇州工業(yè)園區(qū)開工項目89個，總投資557億元，年度計劃投資201億元，涵蓋新一代信息技術、高端裝備制造、生物醫(yī)藥、現代服務業(yè)等產業(yè)項目等。

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滬硅產業(yè)子公司Okmetic硅片擴產項目

據外媒報道，滬硅產業(yè)子公司Okmetic在芬蘭萬塔（Vantaa）的硅片制造項目于近日已破土動工。

據此前報道，該項目總投資約4億歐元，將建設200mm特色硅片工廠，Okmetic現為世界第七大硅片制造商，專門生產用于制造MEMS、傳感器、RF濾波器和功率半導體的特色工藝硅晶圓。該公司于2016年被中資收購，并于去年5月宣布了擴產計劃。

目前，Okmetic擁有約600名員工，2021年的凈銷售額為1.28億歐元，新項目投資預算大約是其年銷售額的三倍。該公司計劃在未來幾年內再雇用500名新員工，預計2025年新項目將開始生產，進一步鞏固其在先進傳感器、功率器件、射頻濾波器及集成無源器件等高端細分領域的市場地位。

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奕斯偉硅及碳化硅部件項目

1月6日，重慶兩江新區(qū)2023年第一批重大產業(yè)項目開工活動正式舉辦。本次開工活動中，共有17個項目集體動工，總投資達369.7億元，項目涵蓋先進制造業(yè)、現代服務業(yè)、科技創(chuàng)新轉化等領域。

其中，奕斯偉硅及碳化硅部件項目由北京奕斯偉科技集團有限公司（以下簡稱“奕斯偉集團”）投資，將建設一座產能為每月3萬個硅及碳化硅部件的生產工廠。

奕斯偉集團是一家集成電路領域產品和服務提供商，核心業(yè)務涵蓋芯片與方案、硅材料、生態(tài)鏈投資孵化三大領域。

奕斯偉硅及碳化硅部件項目是奕斯偉集團與重慶市的首次合作。該項目生產的硅環(huán)和碳化硅環(huán)產品是晶圓制造過程中必需的耗材，特別是碳化硅環(huán)產品填補了國內該領域空白，對新區(qū)打造西南地區(qū)半導體產業(yè)高地具有重大意義。

二、五個項目簽約落地

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20條光電半導體生產線

據伊金霍洛發(fā)布消息，1月10日，伊金霍洛旗人民政府與北京裕泰方略科技有限公司簽約儀式舉行，雙方將在光電半導體項目方面開展合作。

該項目將在蒙蘇經濟開發(fā)區(qū)落地建設，計劃引進國際先進的光電半導體生產線20條，預計項目總投資8億元，具備年生產10億顆各類光電半導體芯片的能力。

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北京航空航天大學合肥創(chuàng)新研究院項目

據合肥市人民政府發(fā)布消息，1月4日，北京航空航天大學合肥創(chuàng)新研究院項目正式簽約合肥。

該項目以北航創(chuàng)新院建設為基礎，圍繞無人駕駛、電磁兼容、集成電路，重點建設助推地方產業(yè)轉型升級的中試基地、北航科研成果轉移轉化的示范基地、地方產業(yè)急需應用人才的培訓基地，打造高端人才引育平臺、高能級共享應用平臺。

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泰晶微半導體項目簽約落戶江蘇

據常熟國家高新區(qū)消息，1月6日，泰晶微半導體項目簽約落戶常熟高新區(qū)。

泰晶微半導體項目一期投資總額5億元，年產150萬套功率半導體模塊，達產后年產值超10億元，公司整合海外技術，聯合蘇州泰晶微半導體擬在常熟高新區(qū)投資設立公司總部、同時建設功率半導體模塊生產基地，主要產品包括新能源和工業(yè)領域所用的高可靠性Sic MOS、IGBT模塊、驅動電路模塊、保護電路模塊等。

據官網介紹，蘇州泰晶微半導體是一家聚焦于碳化硅（SiC）、IGBT半導體的高科技公司， 2020年成立于蘇州 ，主要產品包括新能源和工業(yè)用的高可靠性SiC、IGBT模塊和Mosfet器件，產品應用于新能源汽車、智能電網、可再生能源、工業(yè)電機驅動、醫(yī)療器械、電源等場景和領域。

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格晶半導體第三代半導體項目落地

1月5日，江西上饒市萬年縣人民政府與上海格晶半導體有限公司（以下簡稱“格晶半導體”）舉行合作簽約儀式。

本次簽約的第三代半導體產業(yè)化項目總投資達25億元，產品主要客戶有華為海思、小米、VIVO、OPPO等手機廠商，和中興通訊基站、CETC軍用雷達、吉利汽車快充等。

該項目投產后，可實現年產5萬片8寸GAN功率器件，成為江西省第一家中國第二家量產氮化鎵車載功率器件的晶圓廠。項目預計2026年IPO。

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年產10萬噸高純硅基材料和年產2萬噸半導體硅基材料項目簽約

1月1日，九原區(qū)人民政府與新疆大全新能源股份有限公司舉行年產10萬噸高純硅基材料和年產2萬噸半導體硅基材料項目投資協議簽約儀式。

根據協議內容，新疆大全新能源股份有限公司將在一期項目“年產10萬噸高純多晶硅+年產1000噸半導體多晶硅項目”的基礎上，在九原區(qū)繼續(xù)投資建設“年產10萬噸高純硅基材料項目+年產2萬噸半導體硅基材料項目”，共同打造全球最具競爭力的高純晶硅生產企業(yè)和新能源基地。

該項目占地總面積1500畝，總投資173億元，預計2023年一季度開工建設，2023年年底建成投產。項目達產后，預計年產值151億元，利潤80億元，上繳稅費25億元。

三、多個項目投產、竣工等

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安徽藍訊通信項目投產

據廬江政府網消息，1月9日，安徽藍訊通信項目投產儀式在廬江高新區(qū)舉行。

安徽藍訊通信項目于2022年1月18日簽約落戶廬江高新區(qū)，7月7日開工建設，8月19日主體結構封頂，10月設備進場。

安徽藍訊廬江項目總投資20.08億元，項目分二期建設，新上射頻功能器件、基板，射頻系統模塊及陶瓷功能材料生產線，整個項目建成達產后，預計實現年產值50億元。

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祥和MLCC項目一期月產能50億只已達產

1月8日，風華高科在投資者互動平臺表示，公司定增募投項目為“祥和工業(yè)園高端電容基地建設項目”和“新增月產280億只片式電阻器技改擴產項目”。

其中，祥和項目規(guī)劃新增MLCC月產能450億只，目前一期月產能50億只已達產，公司將緊密結合行業(yè)發(fā)展趨勢和市場情況推進項目產能建設；電阻項目規(guī)劃新增片式電阻器月產能280億只，目前項目建設已滿足設計產能規(guī)劃要求。

據了解，風華高科MLCC高端產品主要包括高容、高壓、安規(guī)、高可靠、車規(guī)產品，片式電阻器高端產品主要包括車規(guī)電阻、薄膜電阻、抗硫化電阻、合金電阻等。

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“某部2022年電子元器件研制”項目啟動

1月8日，大立科技發(fā)布公告稱，近日，公司收到中央財政下達的“某部2022年電子元器件研制”項目啟動資金，金額為320.00萬元，標志著公司已正式中標本項目并已進入啟動實施階段。截至目前，公司已累計收到該項目資金320.00萬元。

根據公告，本項目研制內容為非制冷紅外焦平面探測器領域氧化釩技術路線相關產品并實現產業(yè)化，前期經某部組織專家評審及公示，公司以評審總分第一中標項目承擔任務。本項目是公司繼連續(xù)多年承擔非晶硅技術路線重大專項后，首次承擔氧化釩技術路線相關研制任務，標志著公司在氧化釩技術路線相關研究成果得到國家認可。

大立科技已于2021年實現了國內唯一雙技術路線（非晶硅與氧化釩）非制冷紅外焦平面探測器的量產，并行發(fā)展非晶硅和氧化釩技術路線有利于鞏固公司在紅外熱成像核心芯片——非制冷紅外焦平面器件的研制和產業(yè)化領域的領先地位。

大立科技稱，本項目成功實施后，將有助于提升我國在紅外熱成像核心芯片及裝備領域的競爭力，也有利于公司紅外整機及光電系統業(yè)務發(fā)展，對公司發(fā)展具有長期戰(zhàn)略意義。后續(xù)公司將嚴格遵照項目管理方的相關規(guī)定和要求開展工作。

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平煤神馬碳化硅半導體芯片材料成功下線

據河南日報報道，1月4日，中國平煤神馬集團生產的碳化硅半導體芯片材料——碳化硅高純粉體和碳化硅晶錠成功下線，產品質量達國內一流水平。

2022年，中國平煤神馬集團投資7000萬元，啟動碳化硅基半導體材料示范線開發(fā)項目，主要研發(fā)生產第三代半導體碳化硅粉體和碳化硅襯底材料，打造千億級芯片材料產業(yè)“試驗田”。

報道稱，該項目集聚中國平煤神馬集團產業(yè)優(yōu)勢，上游利用煤、焦爐煤氣制備高純氫、針狀焦、電子硅、區(qū)熔硅等原料優(yōu)勢，下游對接儲能鋰電和光伏等產業(yè)，能快速形成全國乃至世界領先的“煤—氫氣—針狀焦—高純硅烷—碳化硅—碳化硅半導體—儲能鋰電和光伏”高品質產業(yè)鏈。

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百思特達氮化鎵半導體芯片項目竣工

據盤錦高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)1月4日消息，目前，遼寧百思特達半導體科技有限公司（以下簡稱“百思特達”）的氮化鎵半導體芯片項目已經進入產品試生產階段。

百思特達是一家集研發(fā)、設計、生產、銷售、服務于一體的綜合性高科技企業(yè)，始終致力于開創(chuàng)中國半導體氮化鎵芯片領域的科技新格局。

百思特達投資3億元建設的氮化鎵半導體芯片項目，占地面積125畝，總建筑面積51302.28平方米，其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產車間、1棟芯片封裝及應用產品生產制造車間、1棟成品庫房、1棟制氫站、1棟研發(fā)中心及綜合管理用房等建設內容。

2022年12月中旬，氮化鎵半導體芯片項目全面竣工投產，在完成廠務動力設備包含電力設備系統、水設備系統、氣化設備系統、FFU系統等調試工作后，并同步對MOCVD、烤盤爐等一系列生產設備的一、二、三階調試完成后，開始進行產品試生產。

據悉，氮化鎵半導體芯片項目的建成達產，可為百思特達增加10條氮化鎵外延生產線，實現年產10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產能提升。

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科睿特半導體項目投產

據睿芯半導體消息，1月9日，科睿特半導體科技智能終端產品及模組項目投產。

科睿特半導體項目總投資5億美元，集智能終端產品研發(fā)設計、制造、封裝測試為一體，產品廣泛服務于汽車電子、工業(yè)控制、電源管理、智能終端，以及軌道交通、智能電網等高端應用市場。

該項目嚴格按照車規(guī)級芯片要求規(guī)劃設計，目前已到位各類生產設備1300余臺，全部建成后計劃投入各類設備3000余臺。項目的順利投產，將會帶動更多的IC設計、流片、封裝等上下游企業(yè)集聚落戶，將打造一條全新的集成電路產業(yè)鏈。

官網顯示，2021年4月，山東睿芯半導體科技有限公司由科睿特控股（山東）有限責任公司投資成立，是一家集成電路制造和技術服務提供商，提供全方位的晶圓芯片成品制造一站式服務，包括集成電路的系統集成、研發(fā)設計、技術開發(fā)、產品認證、晶圓中測、晶圓級中道封裝測試、系統級封裝測試、芯片成品測試并可向世界各地的半導體客戶提供直運服務。

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芯源微臨港項目主體結構封頂

2023年1月11日，芯源微臨港研發(fā)及產業(yè)化項目主體結構封頂，項目于2022年8月正式動工，比預定計劃提前完成主體結構封頂。

2021年，沈陽芯源微全資子公司上海芯源微注冊成立，“芯源微臨港研發(fā)及產業(yè)化”項目正式立項。該項目落地臨港新片區(qū)重裝備產業(yè)區(qū)，占地45畝，規(guī)劃總建筑面積約5.4萬平方米。

據介紹，該項目定位高端工藝技術節(jié)點的集成電路光刻工藝涂膠顯影設備及化學清洗設備的研發(fā)及產業(yè)化。項目建成后將具備較強的國際先進水平半導體設備研發(fā)能力，加速高端半導體設備國產替代進程。

沈陽芯源微副總裁/上海芯源微常務副總經理崔曉微表示，芯源微臨港廠區(qū)建設取得了良好開端，作為芯源微從沈陽根據地向全球產業(yè)領域延伸的第一站，這里將成為芯源微創(chuàng)新發(fā)展的研發(fā)高地。廠區(qū)建成后，這里將凝聚芯源微最高技術水平的人才資源，研發(fā)團隊將在此打造世界一流水平的半導體高端裝備。

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盛美半導體設備研發(fā)與制造中心封頂

據上海經信委消息，1月6日，盛美半導體設備研發(fā)與制造中心封頂儀式在上海臨港新片區(qū)舉行，項目建筑面積13.8萬平方米，規(guī)劃產能超過年產600臺，預計達產后產值超100億元。

盛美半導體上海臨港研發(fā)及生產中心項目于2019年12月30日啟動，并于2020年7月7日舉行開工儀式。

另據銀環(huán)新材料消息，盛美半導體設備研發(fā)及制造中心項目位于上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)項目，是臨港新片區(qū)揭牌后首批落地的項目之一，將建設成為盛美半導體新的研發(fā)及生產基地。

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高端封裝基板及高端HDI項目下月封頂

1月4日，安捷利美維電子（廈門）有限責任公司（以下簡稱“安捷利美維”）官微發(fā)文表示，目前，安捷利美維高端封裝基板及高端HDI生產能力建設項目已完成一期樁基施工，開始進行主體施工，計劃于2023年2月底封頂，2024年試產。

該項目于2022年9月6日開工建設，項目位于福建廈門海滄區(qū)集成電路制造產業(yè)園，總投資73.8億元，將建成集研發(fā)、制造、銷售、服務于一體的集成電路封裝基板制造基地，產品應用于5G通訊、智能移動終端、汽車、物聯網和醫(yī)療電子等領域。

該項目是福建省重點項目，占地291畝、規(guī)劃總建筑面積約41萬㎡，分二期建設，一期工程主要建設3棟廠房、1棟研發(fā)樓、1棟宿舍樓、1棟生活綜合樓及其他配套生產設施。

項目一期規(guī)劃建設高端封裝基板產品線，投資30.5億元，主要生產FC BGA封裝基板、載板產品；項目二期建設高端HDI與模組產品線，投資43.3億元，主要生產類載板、載板、高密度互連板、封裝模組產品，計劃2027年建成。

封面圖片來源：拍信網