據(jù)外媒《TheElec》報(bào)道，三星正計(jì)劃使用背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）的技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)2納米芯片，該技術(shù)是上周由公司技術(shù)研究員ParkByung-jae在三星SEDEX2022上推出的。該方案給出了制程縮進(jìn)、3D封裝外的另一個(gè)方向，即開(kāi)發(fā)晶圓背面。

BSPDN與前端供電網(wǎng)絡(luò)不同，BSPDN利用后端，正面將具有邏輯功能，而背面將用于供電或信號(hào)路由。據(jù)悉，BSPDN的概念是在2019年的IMEC上首次被提出，當(dāng)時(shí)有一篇引用該技術(shù)的2nm論文也在2021年的IEDM上進(jìn)行了發(fā)表。作者在這篇韓文名為《SRAM宏和使用2nm工藝后端互連的邏輯設(shè)計(jì)和優(yōu)化》的論文提出，將供電網(wǎng)絡(luò)等功能移至芯片背面，從而解決僅使用正面造成的布線堵塞問(wèn)題。與FSPDN相比，BSPDN的性能可提高44%，同時(shí)功率效率提高30%。

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