近日，韓國(guó)半導(dǎo)體廠(chǎng)商三星搶先晶圓代工龍頭臺(tái)積電，量產(chǎn)3納米的消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注。最新消息是，三星已經(jīng)正式官宣量產(chǎn)3納米芯片的消息。

今日（6月30日），三星通過(guò)其微信公眾號(hào)“三星半導(dǎo)體和顯示官方”宣布，基于3nm全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT,簡(jiǎn)稱(chēng)GAA）制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開(kāi)始初步生產(chǎn)，首先將應(yīng)用于高性能、低功耗計(jì)算領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片，并計(jì)劃將其擴(kuò)大至移動(dòng)處理器領(lǐng)域。

與三星5nm工藝相比，三星第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；三星表示，未來(lái)第二代3nm工藝將使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少35%。

至于3納米客戶(hù)方面，有媒體報(bào)道稱(chēng)，消息人士透露，三星稱(chēng)已經(jīng)有客戶(hù)訂購(gòu)產(chǎn)能，包括虛擬貨幣挖礦機(jī)芯片設(shè)計(jì)公司上海磐矽半導(dǎo)體 (PanSemi)，以及移動(dòng)處理器大廠(chǎng)高通 (Qualcomm) 等，不過(guò)高通將視情況進(jìn)行投片。

從時(shí)間節(jié)點(diǎn)來(lái)看，三星3納米技術(shù)量產(chǎn)時(shí)間確實(shí)領(lǐng)先臺(tái)積電。

根據(jù)臺(tái)積電近期在技術(shù)研討會(huì)北美專(zhuān)場(chǎng)分享的制程技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖及未來(lái)計(jì)劃，其初始3納米節(jié)點(diǎn)（N3）有望于今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)，并從明年初交付給客戶(hù)。此外，臺(tái)積電未來(lái)幾年還將推出多種N3衍生制造工藝。

2納米制程工藝方面，臺(tái)積電透露，N2工藝節(jié)點(diǎn)將首次使用GAAFET架構(gòu)，計(jì)劃在2025年投產(chǎn)。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)