據(jù)徐州日報報道，徐州致能半導體有限公司（以下簡稱“致能半導體”）運營總監(jiān)朱解冰表示，今年11月，致能半導體氮化鎵及其共封裝器件研發(fā)生產項目預計可正式投產，當年的銷售額預計可達到2000萬元。

朱解冰還表示，去年1月，致能半導體上馬的氮化鎵及其共封裝器件研發(fā)生產項目正式開工建設，11月進入聯(lián)調聯(lián)試階段，目前正在進行研發(fā)試驗片的試生產。目前，130名員工全部復工，生產線處于滿線生產狀態(tài)，研發(fā)試驗片的月產量能達到1000多件。

據(jù)介紹，致能半導體自主研發(fā)的氮化鎵芯片共封裝技術可把氮化鎵功率芯片與硅驅動芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封裝在一起，形成氮化鎵芯片共封裝器件，能有效降低氮化鎵芯片與其它芯片之間傳統(tǒng)PCB板連接導致的延時較長、寄生電感較大、干擾嚴重等問題，發(fā)揮氮化鎵芯片的高頻優(yōu)勢。

封面圖片來源：拍信網