據(jù)韓媒etNews報(bào)道，韓國(guó)晶圓代工廠商DB HiTek通過(guò)在硅晶圓片上制作由氮化鎵材料制成的薄膜來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體晶圓。該技術(shù)能夠應(yīng)對(duì)通信設(shè)備、電動(dòng)汽車充電器和太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器等快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)。

韓媒etNews報(bào)道稱，DB HiTek將生產(chǎn)基于硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)的8英寸半導(dǎo)體。這是一種使用“硅上氮化鎵”（GaN-On-Si）技術(shù)在硅芯片上沉積GaN材料薄膜的技術(shù)。GaN是下一代半導(dǎo)體材料，可提高通信設(shè)備、電動(dòng)汽車快速充電器和太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器的電源效率。

報(bào)道指出，應(yīng)用GaN-On-Si技術(shù)時(shí)，由于有利于在硅芯片上沉積GaN，所以預(yù)計(jì)該技術(shù)可以通過(guò)提高半導(dǎo)體制造的競(jìng)爭(zhēng)力來(lái)簡(jiǎn)化芯片加工以增強(qiáng)盈利能力。

根據(jù)報(bào)道，DB HiTek預(yù)計(jì)今年將利用其忠北工廠來(lái)應(yīng)對(duì)8英寸市場(chǎng)，該公司計(jì)劃通過(guò)充分利用忠北的Sangwoo fab產(chǎn)能或進(jìn)行額外投資來(lái)滿足對(duì)電動(dòng)汽車和電動(dòng)設(shè)備等8英寸半導(dǎo)體的需求。

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