6月9日，2021世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)開(kāi)幕。在大會(huì)高峰論壇上，中國(guó)工程院院士、浙江大學(xué)微納電子學(xué)院院長(zhǎng)吳漢明分享了后摩爾時(shí)代的芯片挑戰(zhàn)與機(jī)遇，他表示后摩爾時(shí)代對(duì)追趕者來(lái)說(shuō)是一個(gè)機(jī)會(huì)。

芯片產(chǎn)業(yè)為何能遵循摩爾定律發(fā)展至今？吳漢明指出，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈很長(zhǎng)很寬，必然依賴(lài)全球流通，正因?yàn)檫@種流通，使得集成電路沿著摩爾定律發(fā)展到當(dāng)今欣欣向榮的狀態(tài)。此外，本世紀(jì)以來(lái)，共有60多種新材料陸續(xù)進(jìn)入芯片制造，也在支撐著摩爾定律往前發(fā)展。

產(chǎn)業(yè)鏈太長(zhǎng)太寬是中國(guó)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)，但這也意味著全球化是半導(dǎo)體發(fā)展不可替代的途徑，企業(yè)國(guó)際化、外企本土化是必然的發(fā)展趨勢(shì)。至于芯片制造方面，吳漢明認(rèn)為面臨三大挑戰(zhàn)——基礎(chǔ)挑戰(zhàn)是精密圖形，核心挑戰(zhàn)是新材料，終極挑戰(zhàn)是提升良率。

關(guān)于后摩爾時(shí)代的芯片技術(shù)趨勢(shì)，吳漢明認(rèn)為有產(chǎn)業(yè)三驅(qū)動(dòng)、技術(shù)八內(nèi)容、PPAC四目標(biāo)——產(chǎn)業(yè)三驅(qū)動(dòng)：高性能計(jì)算、移動(dòng)計(jì)算、自主感知；技術(shù)八內(nèi)容：邏輯技術(shù)、基本規(guī)則縮放、性能-功率-尺寸（PPA）縮放、3D集成、內(nèi)存技術(shù)、DRAM技術(shù)、Flash技術(shù)、新興非易失性?xún)?nèi)存技術(shù)；PPAC四目標(biāo)（2~3年）：性能方面，保持電壓不變，工作頻率增加15％以上；功率方面，性能不變，功耗減少30％以上；面積方面，減少30％的芯片面積；成本方面，晶圓成本增加小于30％，縮放裸片成本減少15％。

吳漢明表示，后摩爾時(shí)代產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展趨緩，創(chuàng)新空間和追趕機(jī)會(huì)大。“2002年以前，差不多每年的性能提升57%，2010年每年提升12%，最近可以看到性能提升差不多是3%。”吳漢明認(rèn)為，芯片性能提升速度放緩，意味著給了追趕者機(jī)會(huì)，摩爾定律走到盡頭叫后摩爾時(shí)代，對(duì)于追趕者來(lái)說(shuō)一定是個(gè)機(jī)會(huì)。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)