臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音近日于2021年國際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC 2021）開場(chǎng)線上專題演說時(shí)表示，臺(tái)積電3納米制程依照計(jì)劃時(shí)程發(fā)展，甚至比預(yù)期進(jìn)度超前了一些，有信心包括3納米及未來主要制程節(jié)點(diǎn)將如期推出并進(jìn)入生產(chǎn)。

劉德音在《釋放創(chuàng)新未來（Unleash the Future of Innovation）》的演說主題中指出，半導(dǎo)體制程微縮的腳步并未減緩，積體電路的功耗、性能及電晶體密度仍持續(xù)進(jìn)步，臺(tái)積電的3納米比預(yù)期進(jìn)度超前，至于2納米之后的電晶體架構(gòu)將轉(zhuǎn)向環(huán)繞閘極（GAA）的納米薄片（nano-sheet）架構(gòu)。

劉德音也指出，藉由紫外光微影（EUV）技術(shù)，產(chǎn)業(yè)界已打破前一代微影技術(shù)的尺寸限制，但產(chǎn)量仍是一個(gè)問題；EUV可使用較少層數(shù)的光罩，使成本達(dá)到理想的水準(zhǔn)，但EUV功耗極大，為此，臺(tái)積電已取得350W照明光源技術(shù)突破，將可支援5納米量產(chǎn)甚至到1納米節(jié)點(diǎn)。

在材料技術(shù)革新方面，劉德音指出，材料的創(chuàng)新將推動(dòng)晶片技術(shù)持續(xù)向前邁進(jìn)，低維度材料包括六方氮化硼（hBN）等2D材料，已接近實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；臺(tái)積電已與臺(tái)灣學(xué)界團(tuán)隊(duì)合作，成功以大面積晶圓尺寸生長(zhǎng)單晶氮化硼，成果并已獲刊於國際學(xué)術(shù)期刊《Nature》；而低溫制程則將實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)的邏輯與記憶體活性層（active layer）堆疊，打造真正的3D IC；此外，他也強(qiáng)調(diào)了小芯片（Chiplet）在實(shí)現(xiàn)特定領(lǐng)域解決方案上的重要性。

展望未來，劉德音表示，3D芯片堆疊會(huì)是重點(diǎn)，而透過臺(tái)積電的SoIC（system on IC）、低溫鍵合（bonding）制程，可實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)