三星電子近日已成功完成第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）芯片的開發(fā)，并正積極進入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商，三星目前正在向英偉達發(fā)送HBM4原型樣品，以進行質(zhì)量測試。這一進展標(biāo)志著三星在高性能內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的又一重要里程碑。

據(jù)悉，三星的目標(biāo)是在2025年底前啟動HBM4的量產(chǎn)，而非僅是完成開發(fā)工作。該芯片的推出預(yù)計將為高性能計算、人工智能和圖形處理等領(lǐng)域帶來顯著的性能提升。三星還在積極建立即時量產(chǎn)的系統(tǒng)，以確保能夠滿足市場需求。

HBM4芯片采用了混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)，取代了傳統(tǒng)的微凸點連接，預(yù)計將為數(shù)據(jù)中心和高性能計算平臺提供更高的帶寬（10-11 Gbps）和更低的延遲，進一步推動相關(guān)行業(yè)的發(fā)展。業(yè)界普遍期待這一新產(chǎn)品的上市能夠為市場帶來新的活力。