2025 年 7 月 22 日，在京畿道城南市韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)舉辦的 “商用半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)研討會(huì)” 上，三星電子 DS 部門半導(dǎo)體研究所下一代研究團(tuán)隊(duì)常務(wù)董事金大宇指出，隨著高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的發(fā)展，當(dāng)堆疊層數(shù)超過 16 層時(shí)，現(xiàn)有的熱壓鍵合（TC）技術(shù)將無法滿足生產(chǎn)需求。為此，三星正準(zhǔn)備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術(shù)。

混合鍵合是下一代封裝技術(shù)，與熱壓鍵合相比，它可焊接更多芯片堆疊，維持更低的堆疊高度并提高熱排放效率。該技術(shù)無需在 DRAM 內(nèi)存層之間添加凸點(diǎn)，而是直接利用銅將上下層連接，能大大提升信號(hào)傳輸速率，更適合 AI 計(jì)算所需的高帶寬需求，還可降低 DRAM 層間的距離，減少 HBM 模塊的整體高度。

此前，三星已成功使用混合鍵合技術(shù)生產(chǎn)出 16 層堆疊的 HBM3 內(nèi)存樣品，且該樣品運(yùn)行正常，未來計(jì)劃把 16 層堆疊的混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于 HBM4 內(nèi)存的大規(guī)模生產(chǎn)