SK海力士的高頻寬存儲器(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型存儲器頻寬。該技術(shù)堆棧了四個DRAM芯片以及一個邏輯芯片，一片一片地堆棧起來，并利用硅穿孔(TSV)與微凸塊接合實現(xiàn)芯片至芯片間連接。
Intel & Richmax舉辦了一場技術(shù)講解會3D Nand Technical Workshop，Intel的技術(shù)人員在會上具體揭示了Intel 3D NAND的計劃以及一些技術(shù)上的細(xì)節(jié)。
鰭式場效晶體管(Fin Field-Effect Transistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，F(xiàn)inFET命名是根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭非常相似。
時隔首款3D V-NAND公布后一年多，三星又在ISSCC 2015研討會中，發(fā)表了第二世代3D V-NAND，32層堆棧、TLC結(jié)構(gòu)的128Gb配置，三星850 EVO SSD也是使用了此款NAND Flash。從最直觀的的比較下，可以看到第一代與第二代的差別在于面積與容量密度的差別…
全閃存儲存陣列(All Flash Storage Arrays)已成各儲存業(yè)者的兵家必爭之地。所謂全閃存意指使用固態(tài)硬盤(SSD)或快閃存儲器(Flash Memory)等儲存媒介取代傳統(tǒng)硬盤(HDD)。
…而通用閃存USF（Universal Flash Storage），被視為替代eMMC的一種NAND Flash新接口標(biāo)準(zhǔn)，主要用在智能手機及平板電腦等智能移動裝置上，未來或?qū)⒊蔀榍度胧酱鎯γ襟w的主要應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)之一。
FRAM（Ferromagnetic Random Access Memory），鐵電隨機存取存儲器。FRAM由麻省理工學(xué)院首次提出，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，使其鐵電存儲產(chǎn)品同時擁有隨機存儲器和非易失性存儲器的特性。FRAM存儲器的優(yōu)點是可在失去電力的情況下，資料毫不受損，且寫入速度極快，重復(fù)寫入的次數(shù)高，幾乎是無限次數(shù)，可大量取代EEPROM應(yīng)用；其缺點為FRAM存儲器的價格仍是大幅高于EEPROM約2~3倍之多。
微信公眾平臺