FRAM（Ferromagnetic Random Access Memory），鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。FRAM由麻省理工學(xué)院首次提出，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，使其鐵電存儲(chǔ)產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器的特性。FRAM存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)是可在失去電力的情況下，資料毫不受損，且寫入速度極快，重復(fù)寫入的次數(shù)高，幾乎是無限次數(shù)，可大量取代EEPROM應(yīng)用；其缺點(diǎn)為FRAM存儲(chǔ)器的價(jià)格仍是大幅高于EEPROM約2~3倍之多。

FRAM存儲(chǔ)器與電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、磁電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)等并列為新式存儲(chǔ)器的一種，目前FRAM存儲(chǔ)器供應(yīng)商包括富士通半導(dǎo)體(Fujitsu Semiconductor)、Cypress、德州儀器(TI)等。

此市場(chǎng)領(lǐng)域?qū)儆诟叨耸袌?chǎng)，應(yīng)用領(lǐng)域特殊如智能電表、交通儲(chǔ)值卡、醫(yī)療健康系統(tǒng)如監(jiān)照儀、內(nèi)視鏡、呼吸輔助、血氧測(cè)定、攜帶式胰島素注射器等，以及車用市場(chǎng)如胎壓偵測(cè)器等，或是KIOSK、博奕機(jī)等，由于FRAM低功耗特性，未來適合在物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)發(fā)揮。

FRAM存儲(chǔ)器特點(diǎn)
● 采用2048×8位存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)；
● 讀寫次數(shù)高達(dá)1百億次；
● 在溫度為55℃時(shí)，10年數(shù)據(jù)保存能力；
● 無延時(shí)寫入數(shù)據(jù)；
● 先進(jìn)的高可靠性鐵電存儲(chǔ)方式；
● 連接方式為高速串行接口（SPI）總線方式，且具有SPI方式0和3兩種方式；
● 總線頻率高達(dá)5MHz；
● 硬件上可直接取代E；
● 具有先進(jìn)的寫保護(hù)設(shè)計(jì)，包括硬件保護(hù)和軟件保護(hù)雙重保護(hù)功能；
● 低功耗，待機(jī)電流僅為10μA；
● 采用單電源+5V供電；
● 工業(yè)溫度范圍：-40℃至+85℃；
● 采用8腳SOP或DIP封裝形式；