定義：

中文名為絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了MOSFET的高電流單柵控制特性和BJT的低飽和電壓能力。

IGBT按封裝劃分可以分為單管分立器件、IGBT模塊和IPM。通常市場(chǎng)上講的IGBT指的是IGBT模塊。

特點(diǎn)：

IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，是電力電子裝置的“CPU”，具有高壓、大電流、高速三大特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。其中新能源汽車為IGBT核心應(yīng)用場(chǎng)景, IGBT模塊占電動(dòng)汽車成本將近10%，占充電樁成本約20%。

目前全球領(lǐng)先的IGBT供應(yīng)商有英飛凌、富士電機(jī)、三菱電機(jī)、安森美、東芝等。

發(fā)展趨勢(shì)：

一、IGBT器件將向著溝槽柵結(jié)構(gòu)、精細(xì)化圖形、載流子注入增強(qiáng)調(diào)制以及薄片化的加工工藝方向繼續(xù)發(fā)展

二、IGBT模塊技術(shù)將圍繞芯片背面焊接固定與正面電極互連兩方面同時(shí)改進(jìn)，并同先進(jìn)封裝技術(shù)結(jié)合。另外，更多的集成同樣也是IGBT的發(fā)展方向，以降低產(chǎn)品尺寸并在模塊內(nèi)集成更多其他功能元件。