磁性隨機存儲器，簡稱STT-MRAM，也叫自旋轉移矩磁阻存儲記憶體，是一種非易失性儲存，其架構與傳統(tǒng)MRAM相同，但耗電量更少，具備速度極快和耗電量低的優(yōu)點，具備更好的存儲密度拓展空間和信息保存能力，未來可望成為補充或者替代DRAM的產(chǎn)品之一。
隨著USB3.0時代來臨，控制芯片廠商積極搶進。日前USB 3.0控制芯片供貨商挺多，包括華碩轉投資的祥碩科技、原本生產(chǎn)利基型內存(SDRAM)的鈺創(chuàng)、威盛電子轉投資的威鋒、聯(lián)發(fā)科董事長蔡明介領軍的智微、智原轉投資的銀燦，加上原有的USB 2.0控制芯片業(yè)者安國、群聯(lián)、慧榮、擎泰、創(chuàng)惟等，都開始積極搶食。
記憶體廠紛紛轉向朝內嵌式應用發(fā)展，其中最看好的是Ultrabook帶動的固態(tài)硬盤(SSD)，其次是智能型手機和平板計算機用的eMMC、mSATA等內嵌式應用
Resistance Random Access Memory的縮寫,稱為可變電阻式存儲器.日前Panasonic已研發(fā)出一款資料寫入速度比NAND flash 快20倍的ReRAM
mSATA是標準SATA的迷你版本,通過mini PCI-E界面?zhèn)鬏斝盘?；mSATA是SSD不同接口定義里的一種，目前mSATA SSD主要應用在平板電腦，筆記本電腦
eMMC是MMC協(xié)會所訂立的內嵌式存儲器標準規(guī)格，主要應用于智能手機和移動嵌入式產(chǎn)品等.eMMC的這種將NAND Flash芯片和控制芯片包在1顆MCP上的設計概念
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