磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱STT-MRAM（spin-transfer torque magnetoresistence Random Access Menory），也叫自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻存儲(chǔ)記憶體，是一種非易失性儲(chǔ)存，其架構(gòu)與傳統(tǒng)MRAM相同，但耗電量更少，具備速度極快和耗電量低的優(yōu)點(diǎn)，具備更好的存儲(chǔ)密度拓展空間和信息保存能力。未來(lái)可望成為補(bǔ)充或者替代DRAM的產(chǎn)品之一。

STT-MRAM屬于第2代MRAM技術(shù)，據(jù)說(shuō)能夠解決傳統(tǒng)MRAM結(jié)構(gòu)所存在的一些問(wèn)題，STT-MRAM是眾多競(jìng)相成為下一代通用存儲(chǔ)器技術(shù)的方案之一，通用存儲(chǔ)器是指下一代平臺(tái)，能夠滿足各種不同應(yīng)用的需求，并取代目前所使用的DRAM、SRAM和快閃存儲(chǔ)器元件。

目前已經(jīng)有多家半導(dǎo)體廠商在生產(chǎn)MRAM芯片產(chǎn)品，包括hynix、Toshiba、Everspin、Grandis、Crocus，而三星也表示2015開(kāi)始生產(chǎn)。