顧名思義，TLC SSD是搭載TLC型NAND Flash芯片的SSD，因TLC閃存的壽命、耐久度、穩(wěn)定性等天生缺陷，過去只能用于隨身碟，快閃記憶卡等。第一款TLC SSD產(chǎn)品是由三星在2012年10月推出，飽受爭議，而隨著主控和固件技術的不斷演進，各廠商都在嘗試著生產(chǎn)TLC SSD。相信不久的將來，TLC SSD將崛起于中低階市場。
JEDEC固態(tài)技術協(xié)會于2014年8月26日發(fā)布了新一代低功耗內(nèi)存標準LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)，規(guī)范編號“JESD209-4”。
英特爾將于2014年下半年推出支持DDR4的Haswell-E X99芯片組，這將會是更新、更快的內(nèi)存顆粒標準，不但會提升50%的內(nèi)存帶寬（Memory Bandwidth），也會降低30%的功耗，屆時新的主板都將會采用此芯片組。
東芝旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，啟動符合JEDEC UFS 2.0版本標準的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨，東芝此舉為業(yè)內(nèi)首例。這兩種模塊還集成了UFS 2.0版本的可選功能——5.8Gbps高速MIPI® M-PHY® HS-G3 I/F，并實現(xiàn)了超高性能，包括650MB/s的讀取速度和180MB/s的寫入速度。
混合立方體記憶體(Hybrid Memory Cube；HMC)是屬于同構型記憶體3D IC堆棧技術，由美系記憶體大廠美光(Micron)主導研發(fā)，后來三星電子(Samsung Electronics)、IBM等大廠也先后加入。目前美光已推出HMC產(chǎn)品，由于成本較高，因此初期是導入繪圖卡應用、超級計算機、服務器、網(wǎng)絡設備等高單價的市場應用為主。
隨著采用傳統(tǒng)平面半導體技術的NAND Flash即將達到極限，存儲器芯片廠商紛紛開始采用3D生產(chǎn)技術，重點從微型化轉移至增加密度，以提高產(chǎn)能。下面介紹下各個廠商的3D NAND Flash進展情況：三星早在2013年8月，就發(fā)布首款3D NAND Flash芯片，名為V-NAND，采用垂直單元結構，可在單個芯片上實現(xiàn)128 Gb的容量。
DDR4內(nèi)存將會擁有兩種規(guī)格。其中使用Single-endedSignaling信號的DDR4內(nèi)存其傳輸速率已經(jīng)被確認為1.6～3.2Gbps，而基于差分信號技術的DDR4內(nèi)存其傳輸速率則將可以達到6.4Gbps。由于通過一個DRAM實現(xiàn)兩種接口基本上是不可能的，因此DDR4內(nèi)存將會同時存在基于傳統(tǒng)SE信號和差分信號的兩種規(guī)格產(chǎn)品。
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