英特爾將于2014年下半年推出支持DDR4的Haswell-E X99芯片組，這將會(huì)是更新、更快的內(nèi)存顆粒標(biāo)準(zhǔn)，不但會(huì)提升50%的內(nèi)存帶寬（Memory Bandwidth），也會(huì)降低30%的功耗，屆時(shí)新的主板都將會(huì)采用此芯片組。

X99芯片組不僅支持DDR4，同時(shí)也會(huì)支持英特爾推出的8核心處理器（是目前處理器核心數(shù)量的兩倍），DDR4的頻率最高將達(dá)3200MHz，比DDR3傳輸速率的高兩倍，而且新的DDR4運(yùn)作電壓僅1.2V，比DDR3的1.5V低了至少20%，支持深度省電技術(shù)（Deep Power Down），讓內(nèi)存進(jìn)入休眠模式，不需更新內(nèi)存，也能直接更新DIMM上的單一內(nèi)存顆粒，減少50%的待機(jī)功耗。另外DDR4還提供更多可靠的診斷與測試工具。

三星早在2013年底就宣布量產(chǎn)20納米制程的4GB內(nèi)存顆粒，并將32GB的內(nèi)存推向服務(wù)器市場，并于2014年1月推出移動(dòng)裝置所使用的DDR4低功耗版本（LP-DDR4）。SK海力士在2014年4月宣布借助硅穿孔（TSV）技術(shù)，開發(fā)出的DDR4容量高達(dá)128GB。DDR4現(xiàn)已運(yùn)用在高端服務(wù)器市場，預(yù)計(jì)2015年臺(tái)式機(jī)及筆電會(huì)開始使用DDR4內(nèi)存。

有人認(rèn)為DDR4可能將是末代DDR內(nèi)存，一些非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)，例如相變內(nèi)存（Phase-Change Memory）、磁阻內(nèi)存（Magneto Resistive Memory）、電阻內(nèi)存（Resistive Memory）等技術(shù)都蓄勢待發(fā)。