混合立方體記憶體(Hybrid Memory Cube；HMC)是屬于同構(gòu)型記憶體3D IC堆棧技術(shù)，由美系記憶體大廠美光(Micron)主導(dǎo)研發(fā)，后來(lái)三星電子(Samsung Electronics)、IBM等大廠也先后加入。目前美光已推出HMC產(chǎn)品，由于成本較高，因此初期是導(dǎo)入繪圖卡應(yīng)用、超級(jí)計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等高單價(jià)的市場(chǎng)應(yīng)用為主。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)熱烈討論摩爾定律到達(dá)極限，但其實(shí)DRAM制程技術(shù)早已脫離摩爾定律走勢(shì)，物理極限讓DRAM技術(shù)難以微縮至10納米制程，講求推迭技術(shù)的3D IC技術(shù)開(kāi)始被導(dǎo)入，進(jìn)而延續(xù)過(guò)去傳統(tǒng)DRAM生產(chǎn)制造的低成本優(yōu)勢(shì)。

美光已推出2GB版本HMC產(chǎn)品的工程樣本，有別于傳統(tǒng)DRAM的平面配置，以立體堆棧設(shè)計(jì)，并能利用直通硅晶穿孔(Through-Silicon Via；TSU)技術(shù)將立體多層DRAM和邏輯組件封裝在一起，帶寬流量大，且功耗大幅減少，是能夠同時(shí)兼顧帶寬、密度、低功耗等需求的新一代記憶體設(shè)計(jì)，美光也規(guī)劃HMC容量提升至4GB版本，其工程樣本可于2014年推出。