服務(wù)器內(nèi)存也是內(nèi)存（RAM），它與普通PC（個(gè)人電腦）機(jī)內(nèi)存在外觀(guān)和結(jié)構(gòu)上沒(méi)有什么明顯實(shí)質(zhì)性的區(qū)別，主要是在內(nèi)存上引入了一些新的特有的技術(shù)，如ECC、ChipKill、熱插拔技術(shù)等，具有極高的穩(wěn)定性和糾錯(cuò)性能。
USB3.0 —— 也被認(rèn)為是SuperSpeedUSB——為那些與PC或音頻/高頻設(shè)備相連接的各種設(shè)備提供了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)接口。只是個(gè)硬件設(shè)備，計(jì)算機(jī)內(nèi)只有安裝USB3.0相關(guān)的硬件設(shè)備后才可以使用USB3.0相關(guān)的功能！從鍵盤(pán)到高吞吐量磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，各種器件都能夠采用這種低成本接口進(jìn)行平穩(wěn)運(yùn)行的即插即用連接，用戶(hù)基本不用花太多心思在上面。
CVD（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相淀積 ），是指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過(guò)程。
NGFF(Next Generation Form Factor)或稱(chēng)M.2，是英特爾主導(dǎo)，結(jié)合多家電子業(yè)者為固態(tài)硬盤(pán)量身訂作的新標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，可支持SATA和PCIe接口，用來(lái)取代輕薄型行動(dòng)裝置慣用的mSATA接口。
MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一種非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
主流智能型手機(jī)CPU與內(nèi)存儲(chǔ)存裝置搭配大致分為三種形式：一是CPU搭配MCP；二是CPU搭配eMMC加LPDDR；三是CPU搭配eMCP。那么它們到底有什么差異呢？
晶圓探針卡是一種半導(dǎo)體在制造晶圓階段不可或缺的重要測(cè)試分析接口，通過(guò)連接測(cè)試機(jī)和芯片，通過(guò)傳輸信號(hào)，對(duì)芯片參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。
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