MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一種非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。

磁阻內(nèi)存和DRAM內(nèi)存采用了完全不同的原理。DRAM內(nèi)存用以表示"0"和"1"的方式是判斷電容器中的電量多少來(lái)進(jìn)行的，它不僅需要保持通電，還需要周期性地給電容充電才能保證內(nèi)容不丟。而磁阻內(nèi)存的存儲(chǔ)原理則完全不使用電容，它采用兩塊納米級(jí)鐵磁體，在界面上用一個(gè)非磁金屬層或絕緣層來(lái)夾持一個(gè)金屬導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)。通過(guò)改變兩塊鐵磁體的方向，下面的導(dǎo)體的磁致電阻(magnetoresistance)就會(huì)發(fā)生變化。電阻一旦變大，通過(guò)它的電流就會(huì)變小，反之亦然。

與現(xiàn)有的快閃內(nèi)存（FLASH）、靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）相比， MRAM具有非常優(yōu)秀的性能。根據(jù)美國(guó)專業(yè)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)EDN分析，如將MRAM與 DRAM、 SRAM、 FLASH等內(nèi)存做比較，在“非揮發(fā)性”特色上，目前僅有MRAM及FLASH具此功能；而在“隨機(jī)存取”功能上，則FLASH欠缺此項(xiàng)功能，僅MRAM、DRAM、SRAM具備隨機(jī)存取優(yōu)點(diǎn)。除此之外，MRAM還具有以下優(yōu)點(diǎn)：

第一，在讀取速度方面：MRAM及SRAM的速度最快，同為25～100ns，不過(guò)，MRAM仍比SRAM快；DRAM則為50～100ns，屬于中級(jí)速度相較之下，FLASH的速度最慢。

第二，在寫入次數(shù)方面：MRAM、 DRAM以及SRAM則都屬同一等級(jí)，約可寫入無(wú)限次的記憶，而FLASH則只約可寫入106次。

第三，在芯片面積方面，MRAM與FLASH同屬小規(guī)格的芯片，所占空間最?。?/span>DRAM的芯片面積則是屬于中等規(guī)格，SRAM更是屬于大面積規(guī)格的芯片，其所占的空間最大。

第四，在嵌入式設(shè)計(jì)規(guī)格方面，DRAM、SRAM、FLASH同屬良率低、須增加芯片面積設(shè)計(jì)規(guī)格；而MRAM則是擁有性能高、不須增加芯片面積的特殊設(shè)計(jì)。

最后在耗電量方面，只有MRAM以及SRAM擁有低耗電的優(yōu)點(diǎn)，FLASH則是屬于中級(jí)的耗電需求，至于DRAM更是具有高耗電量的缺點(diǎn)。