CVD（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相淀積 ），是指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。

CVD 工藝的特點(diǎn)

1、CVD成膜溫度較低，可減輕硅片的熱形變，抑制缺陷的生成，減輕雜質(zhì)的再分布，適于制造淺結(jié)工藝。設(shè)備簡(jiǎn)單、重復(fù)性好。

2、薄膜的成分可精確控制，配比范圍大；

3、淀積速率一般高于物理淀積，產(chǎn)能強(qiáng)，厚度范圍大；

4、膜的結(jié)構(gòu)完整，與襯底粘附好，臺(tái)階覆蓋性好；

CVD的分類

1、按溫度，有低溫(200 ~ 500oC)、中溫(500 ~ 1000oC)和高溫(1000 ~ 1300oC)CVD。       

2、按壓力，有常壓(APCVD) 和低壓(LPCVD)CVD。常壓化學(xué)汽相淀積(APCVD，Atmospheric Pressure CVD)，是指在大氣壓下進(jìn)行的一種化學(xué)氣相淀積的方法，這是化學(xué)氣相淀積最初所采用的方法。這種工藝所需的系統(tǒng)簡(jiǎn)單，反應(yīng)速度快，淀積速率高，特別適于介質(zhì)淀積，但是它的缺點(diǎn)是均勻性較差，所以，APCVD一般用在厚的介質(zhì)淀積。低壓化學(xué)氣相淀積（LPCVD，Low Pressure CVD）是指系統(tǒng)工作在較低的壓強(qiáng)下的一種化學(xué)氣相淀積的方法。LPCVD技術(shù)不僅用于制備硅外延層，還廣泛用于各種無(wú)定形鈍化膜及多晶硅薄膜的淀積，是一種重要的薄膜淀積技術(shù)。

3、按反應(yīng)室壁溫度，有熱壁CVD和冷壁CVD 。熱壁是指壁溫高于晶片溫度，通常是在反應(yīng)室外采用電阻發(fā)熱方式透過室壁對(duì)晶片進(jìn)行加熱。冷壁是指壁溫低于晶片溫度，可采用射頻感應(yīng)或電阻發(fā)熱方式在反應(yīng)室內(nèi)對(duì)基座進(jìn)行加熱。  

4、按反應(yīng)激活方式，有等離子激活 (PECVD) 、熱激活和紫外光激活等。 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD，Plasma Enhanced CVD)是指采用高頻等離子體驅(qū)動(dòng)的一種氣相淀積技術(shù)，是一種射頻輝光放電的物理過程和化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的技術(shù)。該氣相淀積的方法可以在非常低的襯底溫度下淀積薄膜，例如在鋁(A1)上淀積Si02，工藝上等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積主要用于淀積絕緣層。      

5、按氣流方向，有臥式CVD 和立式CVD。

CVD的工藝應(yīng)用：

1、CVD工藝可生長(zhǎng)介質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜、導(dǎo)體膜以及超導(dǎo)膜；

2、在IC生產(chǎn)制造過程中，我們主要運(yùn)用CVD工藝生長(zhǎng)介質(zhì)膜，半導(dǎo)體膜、導(dǎo)體膜。

化學(xué)氣相沉積作為一種非常有效的材料表面改性方法，在很多領(lǐng)域得到應(yīng)用，在集成電路工藝中，通過CVD技術(shù)淀積的薄膜有重要的用途，主要廣泛應(yīng)用于多晶硅、絕緣介質(zhì)和金屬薄膜的制備等。