ReRAM（Resistance Random Access Memory的縮寫），稱為可變電阻式存儲(chǔ)器，是一種是關(guān)掉電源數(shù)據(jù)資料仍能被記住的存儲(chǔ)器，能將DRAM及NAND Flash的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身，具有速度快、記憶能力強(qiáng)、功耗少、占用空間少的特點(diǎn)，多運(yùn)用于智能手機(jī)、平板電腦、個(gè)人電腦等。

未來，ReRAM也許能一舉替代內(nèi)閃存和硬盤。日前Panasonic已研發(fā)出一款資料寫入速度比NAND flash 快20倍的ReRAM。基于憶阻器原理，致力于商業(yè)化ReRAM的企業(yè)還包括惠普、爾必達(dá)、索尼、松下、美光、海力士等。