鰭式場效晶體管(Fin Field-Effect Transistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，F(xiàn)inFET命名是根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭非常相似。

FinFET源自于傳統(tǒng)標準的晶體管—場效晶體管 (Field-Effect Transistor；FET)的一項創(chuàng)新設計。在傳統(tǒng)晶體管結構中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構。在FinFET的架構中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構，可于電路的兩側控制電路的接通與斷開。這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流(leakage)，也可以大幅縮短晶體管的閘長。

FinFET具有功耗低，面積小的優(yōu)點，2011年初英特爾就推出商業(yè)化的22納米的FinFET，2015年初臺積電16納米的FinFET已進入量產(chǎn)，三星也宣布14納米的FinFET已正式量產(chǎn)，2016年或將是各廠商決勝10納米的關鍵點時間點。