最近，Intel & Richmax舉辦了一場技術講解會3D Nand Technical Workshop，Intel的技術人員在會上具體揭示了Intel 3D NAND的計劃以及一些技術上的細節(jié)。

3D NAND Flash優(yōu)勢

1）存儲密度可以達到現(xiàn)有閃存的三倍以上，未來甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出來。

2）每單位容量成本將會比現(xiàn)有技術更低，而且因為無需再通過升級制程工藝、縮小cell單元以增加容量密度，可靠性和性能會更好。

Intel的3D NAND Flash芯片

在的3D NAND時代，Intel將推出自己的TLC閃存。不過，無論是TLC還是MLC騎士都是同一塊芯片，客人可以根據(jù)自己的需求選擇閃存是MLC模式還是TLC模式，在MLC模式下每Die容量是256Gb，而TLC模式下每Die容量是384Gb。

Intel 3D NAND目前會使用32層堆疊，電荷存儲量和當年的50nm節(jié)點產(chǎn)品相當，第二第三代產(chǎn)品依然會保持這樣的電荷量，以保證產(chǎn)品的可靠性。Intel的3D NAND代號是L06B/B0KB。

L06B是MLC產(chǎn)品的代號，采用ONFI 4.0標準，Die Size 32GB，Page Size 16KB，使用4-plane設計，雖然會帶來額外的延時，但同時也提供了比目前常見的2-plane設計閃存高1倍的讀寫吞吐量，閃存壽命是3000 P/E。

B0KB則是TLC產(chǎn)品的代號，由于是同一芯片所以許多東西都是L06B一樣，當然容量、性能與壽命什么的肯定不同，Die Size 48GB，閃存壽命是1500 P/E，由于是TLC所以需要ECC標準是更高的LDPC。

Intel 3D NAND全部會使用132-Ball BGA封裝，L06B可以從256Gb（32GB）到4096Gb（512GB）的產(chǎn)品，還可以做出更大容量的SSD。

工作模式

MLC工作的模式有2-pass和1-pass兩種編程模式，默認的是2-pass編程模式，第一次編程lower page的數(shù)據(jù)寫入到NAND陣列里面，而第二次編程則會把upper page的數(shù)據(jù)寫入。1-pass編程模式的意思當然就是指一次編程就把lower page與upper page的數(shù)據(jù)都寫入到NAND陣列里面，這樣可以節(jié)省15%的編程時間，但是用這種算法的話閃存壽命會比兩步編程模式時低一些。

TLC的編程算法則要比較復雜，第一步和MLC的一步編程模式相類似，就是直接把lower page與upper page一齊寫入到NAND陣列里面，第二步則是寫入extra page的數(shù)據(jù)，由于算法復雜，第二部編程時需要對數(shù)據(jù)進行ECC校驗。

上面所說閃存的2-pass MLC、1-pass MLC與TLC工作模式是可以用使用指令隨時切換的，這對廠家來說閃存的使用會變得非常靈活，當然產(chǎn)品的用戶是不能這樣亂改工作模式的。

至于Intel的3D NAND什么時候會開始供應，今年Q3中旬會開始相各個合作伙伴提供測試樣品，MLC/TLC的都有，2015年Q4末開始大規(guī)模供貨，產(chǎn)品的定價會根據(jù)那時的市場情況再決定。