2025-06-19
三星電子基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片已成功完成首次性能評(píng)估，傳輸帶寬達(dá)到24Gbps...
2025-06-12
三星電子在DRAM內(nèi)存領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成為首家引入干式光刻膠（Dry PR）技術(shù)的公司...
2025-03-10
外媒最新消息顯示，三星電子設(shè)備解決方案（DS）部門已著手開發(fā)下一代封裝材料“玻璃中介層”，目標(biāo)不僅是取代昂貴的硅中介層，還要...
2025-01-03
兩家半導(dǎo)體巨頭都在2024年末經(jīng)歷了領(lǐng)導(dǎo)層變動(dòng)...
2024-12-24
三星電子將在平澤二廠（P2）建設(shè)一條10nm第七代DRAM（1d DRAM）試驗(yàn)線，以加強(qiáng)其競(jìng)爭(zhēng)地位并提高新一代產(chǎn)品的良率...
2024-12-13
AI時(shí)代，高性能芯片重要性日益凸顯，推動(dòng)先進(jìn)制程芯片成為晶圓代工行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的“關(guān)鍵武器”；與此同時(shí)，消費(fèi)電子市場(chǎng)盡管需求尚....
2024-12-10
據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，半導(dǎo)體存儲(chǔ)大廠三星電子已完成400層NAND技術(shù)研發(fā)，并開始導(dǎo)入產(chǎn)線....
2024-11-27
11月27日，三星電子宣布了2025屆總裁級(jí)別人事變動(dòng)，以增強(qiáng)未來的競(jìng)爭(zhēng)力，主要變動(dòng)包括制度、部門管理、人員職務(wù)等層面方面...
2024-10-08
市場(chǎng)消息指出，三星電子（Samsung Electronics）與NVIDIA順利完成第五代高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E的實(shí)地檢測(cè)。雖然HBM3E量產(chǎn)時(shí)....
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