市場消息指出，三星電子（Samsung Electronics）與NVIDIA順利完成第五代高帶寬存儲器HBM3E的實(shí)地檢測。雖然HBM3E量產(chǎn)時(shí)間還不確定，但雙方合作已經(jīng)有進(jìn)一步進(jìn)展。 

此前有報(bào)導(dǎo)指出，三星8層HBM3E已通過NVIDIA測試，可用于英偉達(dá)的AI處理器上，預(yù)期今年第四季就會展開供應(yīng)，至于12層HBM3E芯片還沒通過測試。 

從三星和NVIDIA合作來看，Al、游戲和資料中心應(yīng)用都必須使用先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)。不過市場較為擔(dān)憂三星存儲器部門，因?yàn)樵摬块T復(fù)蘇緩慢，且在AI芯片市場反應(yīng)相對較慢，目前也正努力趕上SK海力士，以服務(wù)AI領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者NVIDIA。 

整體來說，通過實(shí)地檢測對三星來說仍是正面發(fā)展，但要量產(chǎn)和重回市場領(lǐng)先地位仍是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)