據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，半導(dǎo)體存儲(chǔ)大廠三星電子已完成400層NAND技術(shù)研發(fā)，并開始導(dǎo)入產(chǎn)線。

報(bào)道稱，三星電子已在其半導(dǎo)體研究所成功完成了400層NAND技術(shù)的開發(fā)，并已于上月開始將這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)轉(zhuǎn)移到平澤園區(qū)一號(hào)工廠的大規(guī)模生產(chǎn)線上。

業(yè)界認(rèn)為，這一突破將使三星處于NAND閃存技術(shù)的前沿，并準(zhǔn)備與其他存儲(chǔ)廠商展開競(jìng)爭(zhēng)。

三星電子計(jì)劃于明年2月在2025年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC) 上詳細(xì)介紹其1Tb容量400層堆疊TLC NAND Flash快閃存儲(chǔ)器。至于量產(chǎn)時(shí)間，報(bào)道稱，三星400層NAND產(chǎn)品將于明年下半年開始。不過，有業(yè)內(nèi)人士指出，如果加快生產(chǎn)速度，可能在第二季度末就開始量產(chǎn)。

三星為400層NAND引入了“三層堆疊”技術(shù)。報(bào)道稱，三星400層NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的成功研發(fā)，代表著NAND閃存技術(shù)的重大飛躍，該技術(shù)涉及將存儲(chǔ)單元堆疊在三層，也標(biāo)志著三星電子在該領(lǐng)域的重大進(jìn)步。

除了技術(shù)研發(fā)取得重大進(jìn)展外，三星電子還計(jì)劃在2025年增加其先進(jìn)存儲(chǔ)器產(chǎn)品線的產(chǎn)量。包括在平澤園區(qū)安裝新第9代（286層堆疊）的NAND Flash快閃存儲(chǔ)器生產(chǎn)設(shè)施，月產(chǎn)能為3萬(wàn)-4萬(wàn)片晶圓。

此外，三星還計(jì)劃在中國(guó)西安工廠，繼續(xù)將128層堆疊（V6）NAND Flash快閃存儲(chǔ)器生產(chǎn)線，轉(zhuǎn)換為236層堆疊（V8）NAND Flash快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品制程。

眾所周知，三星是全球最大的NAND Flash品牌廠商。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新數(shù)據(jù)顯示，今年第三季度，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)整體營(yíng)收達(dá)176億美元，其中，排名第一的三星營(yíng)收為62億美元。

集邦咨詢分析三星第三季營(yíng)收指出，由于企業(yè)級(jí)SSD表現(xiàn)受北美需求的持續(xù)支持，手機(jī)用產(chǎn)品出貨量則出現(xiàn)下滑，三星第三季出貨位元季減5%。但其ASP較前一季增加，因此其營(yíng)收保持與第二季持平。

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