近日，據(jù)市場最新消息，三星電子已在其半導(dǎo)體研究所成功完成其突破性400層NAND技術(shù)的開發(fā)。三星于11月開始將這項先進(jìn)技術(shù)轉(zhuǎn)移到平澤P1廠的量產(chǎn)線上。這一重要里程碑使三星處于NAND閃存技術(shù)的前沿，因為它準(zhǔn)備與SK海力士等行業(yè)對手競爭，后者已宣布量產(chǎn)321層NAND。

三星電子計劃于2025年2月在美國舉行的ISSCC（國際固態(tài)電路會議）2025上提供有關(guān)其1Tb容量400層三級單元（TLC）NAND的詳細(xì)公告。這種先進(jìn)NAND的量產(chǎn)預(yù)計將于明年下半年開始，盡管一些行業(yè)專家預(yù)測，如果加快這一進(jìn)程，生產(chǎn)可能會在第二季度末開始。

除了400層NAND，三星電子明年還將增加其先進(jìn)產(chǎn)品線的產(chǎn)量。該公司計劃在平澤園區(qū)安裝新的第9代（286層）生產(chǎn)設(shè)施，每月產(chǎn)能為3萬~4萬片晶圓。此外，三星西安工廠將繼續(xù)將128層（V6）NAND生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為236層（V8）產(chǎn)品工藝。

400層NAND的開發(fā)代表了NAND閃存技術(shù)的重大飛躍，該技術(shù)已從傳統(tǒng)的平面（2D）NAND發(fā)展到3D NAND。該技術(shù)涉及垂直堆疊存儲單元以提高存儲密度和效率。三星為400層NAND引入“三重堆疊”技術(shù)，該技術(shù)涉及將存儲單元堆疊成三層，標(biāo)志著該領(lǐng)域的重大進(jìn)步。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)