國產(chǎn)“芯”突破
內(nèi)閃存芯片營收預(yù)估
存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)下一個(gè)“新寵”
手機(jī)芯片新局已開
新一輪DRAM技術(shù)蓄勢待發(fā)

國產(chǎn)“芯”突破

7月22日消息，北京大學(xué)電子學(xué)院碳基電子學(xué)研究中心彭練矛-張志勇團(tuán)隊(duì)在下一代芯片技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，成功研發(fā)出世界首個(gè)基于碳納米管的張量處理器芯片（TPU）。

消息披露，該芯片由3000個(gè)碳納米管場效應(yīng)晶體管組成，能夠高效執(zhí)行卷積運(yùn)算和矩陣乘法。該芯片采用了新型器件工藝和脈動(dòng)陣列架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)并行的2位整數(shù)乘積累加運(yùn)算。實(shí)驗(yàn)表明，基于該TPU的五層卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)可以在功耗僅為295μW的情況下，實(shí)現(xiàn)高達(dá)88%的MNIST圖像識(shí)別準(zhǔn)確率...詳情請點(diǎn)擊《我國科研團(tuán)隊(duì)在下一代芯片領(lǐng)域取得重大突破》

與此同時(shí)，近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所宋志棠、雷宇研究團(tuán)隊(duì)，在三維相變存儲(chǔ)器（3D PCM）亞閾值讀取電路、高可靠編程電路、模型方面取得了系列進(jìn)展，成果發(fā)表在國際學(xué)術(shù)期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers等...詳情請點(diǎn)擊《中國團(tuán)隊(duì)存儲(chǔ)器研究取得系列進(jìn)展》

內(nèi)閃存芯片營收預(yù)估

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告，受惠于位元需求成長、供需結(jié)構(gòu)改善拉升價(jià)格，加上HBM(高帶寬內(nèi)存)等高附加價(jià)值產(chǎn)品崛起，預(yù)估DRAM（內(nèi)存）及NAND Flash（閃存）產(chǎn)業(yè)2024年?duì)I收年增幅度將分別增加75%和77%。

而2025年產(chǎn)業(yè)營收將持續(xù)維持成長，DRAM年增約51%、NAND Flash年增長則來到29%，營收將創(chuàng)歷史新高，并且推動(dòng)資本支出回溫、帶動(dòng)上游原料需求，只是存儲(chǔ)器買方成本壓力將隨之上升...詳情請點(diǎn)擊《研報(bào) | 預(yù)估2024年DRAM及NAND Flash營收將分別同增75%和77%》

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)下一個(gè)“新寵”

當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模組 (MRDIMM) 和下一代LPDDR6壓縮連接內(nèi)存模組 (CAMM)先進(jìn)內(nèi)存模組標(biāo)準(zhǔn)，并介紹了這兩項(xiàng)內(nèi)存的關(guān)鍵細(xì)節(jié)，旨在為下一代高性能計(jì)算和人工智能發(fā)展提供支持。JEDEC表示，這兩項(xiàng)新技術(shù)規(guī)范均由JEDEC的JC-45 DRAM模組委員會(huì)開發(fā)。

作為JEDEC的JESD318 CAMM2內(nèi)存模組標(biāo)準(zhǔn)的后續(xù)，JC-45正在開發(fā)用于LPDDR6的下一代CAMM模組，目標(biāo)是最大速度超過14.4GT/s。按照計(jì)劃，該模組還將提供24bit位寬子通道、48bit位通道并支持“連接器陣列”，以滿足未來高性能計(jì)算和移動(dòng)設(shè)備的需求...詳情請點(diǎn)擊《存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的下一個(gè)“新寵”是？》

手機(jī)芯片新局已開

行業(yè)最新消息顯示，今年9月，蘋果將會(huì)在iPhone 16 Pro上配備最新的A18芯片，以此打響AI手機(jī)軍備競賽第一槍；華為海思也會(huì)在9月9日舉行首屆海思全聯(lián)接大會(huì)，驚喜拭目以待；進(jìn)入10月，高通將推出旗艦芯片8Gen4，聯(lián)發(fā)科則會(huì)拿出天璣9400這款芯片...

手機(jī)芯片市場正在醞釀變局，蘋果A系列摩拳擦掌、華為麒麟歸來洶涌，高通與聯(lián)發(fā)科也蠢蠢欲動(dòng)，各大芯片廠商正在攪動(dòng)著手機(jī)市場的一池春水。AI手機(jī)競賽第一回合較量即將正式開打...詳情請點(diǎn)擊《AI，顛覆手機(jī)》

新一輪DRAM技術(shù)蓄勢待發(fā)

AI應(yīng)用浪潮之下，高性能存儲(chǔ)器需求持續(xù)攀升，以HBM為代表的DRAM風(fēng)生水起。同時(shí)，為進(jìn)一步滿足市場需求，存儲(chǔ)廠商也在醞釀新一輪DRAM技術(shù)“革命”。

韓媒消息，近期三星電子副總裁柳昌植對(duì)外表示，三星下一代DRAM技術(shù)進(jìn)展良好，除了1b DRAM正在順利量產(chǎn)之外，4F Square DRAM技術(shù)也在順利開發(fā)，計(jì)劃在2025年開發(fā)出4F Square DRAM的初始樣品...詳情請點(diǎn)擊《存儲(chǔ)市場醞釀新一輪DRAM技術(shù)革命》

封面圖片來源：拍信網(wǎng)