2021年11月18日,由全球高科技產(chǎn)業(yè)研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢主辦的“MTS2022存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會”在深圳盛大舉行。

本次峰會吸引了超過500家企業(yè)或單位報名參加,來自存儲產(chǎn)業(yè)鏈的數(shù)百名嘉賓參與了線下會議,現(xiàn)場高朋滿座,賓客云集。
考慮疫情等因素,許多嘉賓無法現(xiàn)場參會,本次峰會采取線上+線下結(jié)合方式,近萬人次在線觀看了峰會直播。線上線下嘉賓討論氣氛熱烈,大家打破時空限制,匯聚在一起,共話2022年存儲產(chǎn)業(yè)新發(fā)展......詳情請點擊>>《13位演講嘉賓干貨集錦!集邦咨詢2022存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會圓滿結(jié)束(文末有彩蛋)》
11月18日,德州儀器宣布,計劃德克薩斯州(簡稱“德州”)北部謝爾曼(Sherman)建造新的12英寸半導(dǎo)體晶圓制造廠。
這個制造基地最多可建設(shè)4個晶圓制造廠以滿足逐年產(chǎn)生的市場需求,前兩個工廠將于2022年動工,預(yù)計最早在2025年,第一座晶圓制造廠將開始投產(chǎn)。如果最終該基地的四座工廠全部建成,其總投資額將達到約300億美元,并可逐年直接創(chuàng)造3000個工作崗位。
德州儀器董事長、總裁及首席執(zhí)行官譚普頓(Rich Templeton)表示,德州儀器未來在謝爾曼工廠制造的12英寸晶圓將用于模擬和嵌入式處理產(chǎn)品的生產(chǎn)...詳情請點擊>>《300億美元,4座晶圓廠》
近日,一批半導(dǎo)體項目落地、開工、投產(chǎn),涉及第三代半導(dǎo)體氮化鎵、存儲封測、以及硅晶圓外延片等領(lǐng)域。
半導(dǎo)體大硅片項目簽約無錫
11月16日,2021無錫錫山金秋招商合作懇談會隆重舉行。
“錫山發(fā)布”指出,懇談會上集中簽約項目39個,總投資777.7億元,涵蓋集成電路、生物醫(yī)藥、高端裝備、產(chǎn)業(yè)基金等領(lǐng)域。
其中,12英寸半導(dǎo)體大硅片超級工廠項目也簽約落地。據(jù)悉,該項目總投資105億元,用地280畝,規(guī)劃產(chǎn)能每月60萬片,預(yù)計年銷售60億元。
此外,大會上,全區(qū)首批10個特色專業(yè)園區(qū)正式掛牌,包括集成電路產(chǎn)業(yè)園、集成電路裝備產(chǎn)業(yè)園、電子化學(xué)材料產(chǎn)業(yè)園等...詳情請點擊>>《月產(chǎn)能60萬片,總投資105億元的半導(dǎo)體大硅片項目簽約無錫》
伊瑟半導(dǎo)體開業(yè)
近日,伊瑟半導(dǎo)體在無錫錫山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)云林科創(chuàng)中心正式開業(yè)。
據(jù)“錫山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)”介紹,該項目主要從事功率半導(dǎo)體設(shè)備及CIS設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn),落戶當(dāng)年即實現(xiàn)1.5億元開票,預(yù)計2021年至2023年累計銷售開票額不低于6億元人民幣,五年內(nèi)啟動IPO。
資料顯示,伊瑟半導(dǎo)體成立于2021年2月,注冊資本1.2億元,主要聚焦于研發(fā)和生產(chǎn)功率半導(dǎo)體設(shè)備及CIS設(shè)備,團隊多為來自知名大學(xué)的碩士...詳情請點擊>>《與士蘭微、英飛凌等達成合作,無錫再添半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新軍》
60億氮化鎵項目落地福州
近期,4個重大產(chǎn)業(yè)項目落地福州長樂區(qū),涉及新材料、大數(shù)據(jù)、第三代半導(dǎo)體等,投資額超396億元,其中包括第三代半導(dǎo)體氮化鎵項目。
據(jù)福州新聞網(wǎng)報道,第三代半導(dǎo)體氮化鎵項目計劃總投資約60億元,分兩期建設(shè),將充分利用福州區(qū)域優(yōu)勢,整合第三代半導(dǎo)體的材料、外延、封測、器件、設(shè)備等行業(yè)上下游,實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)集聚,推動產(chǎn)業(yè)升級。
中欣晶圓40億外延項目開工
11月17日,浙江麗水中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司外延項目建設(shè)工程在浙江麗水經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)舉行開工儀式。
據(jù)介紹,浙江麗水中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司由杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司與浙江麗水國資相關(guān)投資公司聯(lián)合設(shè)立。項目總投資40億元,首期所需投資額30億元將建設(shè)年產(chǎn)120萬片8英寸、年產(chǎn)240萬片12英寸硅外延片。項目預(yù)計將于2022年11月竣工,2023年可實現(xiàn)投產(chǎn)運營。
閃速半導(dǎo)體封測、研發(fā)項目簽約
11月17日,湘潭綜保區(qū)閃速半導(dǎo)體封測、研發(fā)項目簽約儀式舉行。
閃速半導(dǎo)體封測、研發(fā)項目由深圳市閃速半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“閃速半導(dǎo)體”)投資建設(shè),項目總投資3億元,投產(chǎn)5年后將累計實現(xiàn)進出口額5億美元以上、產(chǎn)值30億元人民幣以上,同時正在積極籌備上市...詳情請點擊>>《涉及氮化鎵、存儲封測,硅晶圓外延片,一批半導(dǎo)體項目迎來新進展》
根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,今年初以來因DRAM報價翻漲以及供應(yīng)鏈缺料,多數(shù)采購為避免斷貨而不斷擴大拉貨,使得需求端至年中持續(xù)強勁。
然而,因疫情導(dǎo)致的零部件長短料的問題對于終端產(chǎn)品組裝的沖擊也逐漸加劇,促使部分廠商開始減少購買相對長料的存儲器,尤其以PC OEMs業(yè)者的態(tài)度最為明顯。不過所幸服務(wù)器端的需求仍相對有所支撐,帶動多數(shù)DRAM供應(yīng)商第三季出貨仍有小幅增長,加上DRAM報價走揚,推升第三季DRAM總產(chǎn)值仍有10.2%的季成長,達266億美元。

展望第四季,在供應(yīng)鏈問題持續(xù)紛擾,以及年底庫存盤點即將來臨的雙重壓力下,DRAM庫存偏高的買方在采購力道上恐怕更為縮手,進而導(dǎo)致DRAM價格失去支撐,甚至反轉(zhuǎn)下跌,結(jié)束僅三季的上漲周期。
此外,由于第四季將是DRAM報價下跌的首季,買方在認(rèn)為后續(xù)價格只會更低的預(yù)期心理下,采買意愿恐怕更加低迷,進而擴大后續(xù)報價的跌勢,恐連帶影響到后續(xù)產(chǎn)值表現(xiàn)...詳情請點擊>>《266億美元,第三季DRAM產(chǎn)值季成長達10%》
11月15日,斯達半導(dǎo)公布定增結(jié)果。據(jù)披露,斯達半導(dǎo)此次發(fā)行數(shù)量10,606,060股,發(fā)行價格330元/股,募資總額約35億元,募集資金凈額34.77億元。
根據(jù)此前資料,斯達半導(dǎo)此次募集資金將用于投資碳化硅芯片和功率半導(dǎo)體模塊等項目,包括高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目、以及補充流動資金...詳情請點擊>>《35億定增結(jié)果出爐,斯達半導(dǎo)瞄準(zhǔn)SiC及功率半導(dǎo)體領(lǐng)域》
2天后(11月17日),斯達半導(dǎo)發(fā)布公告稱,公司擬使用募集資金向全資子公司斯達微電子增資19.78億元,用于“高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目”和“SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目”建設(shè)。本次增資完成后,斯達微電子注冊資本將由6000萬元增加至20.38億元。
封面圖片來源:拍信網(wǎng)