近期，寧波比亞迪半導體有限公司對外公示了新型功率半導體芯片產(chǎn)業(yè)化及升級項目竣工環(huán)境保護驗收相關文件。

“新型功率半導體芯片產(chǎn)業(yè)化及升級項目”已于2025年11月通過竣工環(huán)保驗收。技改后寧波基地形成24萬片/年SiC等新型功率半導體（含TVS、SBD、PD、CMOS等）產(chǎn)能，同時保留7.8萬片IGBT+7.8萬片F(xiàn)RD作為混合產(chǎn)能，總投資7.44億元。

寧波海關披露，公司2月啟動1200V溝槽柵SiC MOSFET晶圓保稅研發(fā)；項目負責人稱“研發(fā)片一旦通過檢測即可迅速轉量產(chǎn)”，配套產(chǎn)線升級完成后目標月產(chǎn)1萬片（折合年12萬片）。這意味著寧波廠未來SiC產(chǎn)能仍有翻倍空間。

驗收報告列出已導入的干法刻蝕機、柵氧氧化爐、高溫退火爐等關鍵設備，主材為6英寸SiC晶圓，目前“主體設施和環(huán)保設施運行穩(wěn)定”，標志著6英寸SiC芯片進入常態(tài)化生產(chǎn)。

綜上，寧波比亞迪半導體2025年已完成從“IGBT+FRD”向“SiC為主、硅基補充”的產(chǎn)品結構切換，24萬片/年SiC產(chǎn)能率先釋放，1200V溝槽柵MOSFET有望于2026年進一步放量，為比亞迪全系新能源車型提供主驅逆變器核心芯片。