聯(lián)華電子（UMC）于2025年10月22日正式發(fā)布全新的55納米BCD（雙極-互補金屬氧化物半導體）工藝平臺，標志著公司在電源管理領域邁出重要一步。該平臺支持在單一芯片上集成模擬、數(shù)字與電力元件，廣泛應用于電源管理及混合信號集成電路，旨在提升移動設備、消費電子及汽車工業(yè)產品的能效表現(xiàn)及可靠性。

聯(lián)電的55nm BCD平臺包含三種制程工藝：

- 非外延（Non-EPI）工藝：提供高性價比方案，適合移動及消費電子設備的電源效率與模擬性能需求。
- 外延（EPI）工藝：符合嚴格的汽車行業(yè)AEC-Q100 Grade 0標準，支持最高150V操作電壓，增強汽車電子設備在極端環(huán)境下的可靠性。
- 絕緣層上硅（SOI）工藝：符合AEC-Q100 Grade 1標準，具備優(yōu)異的抗噪聲特性和超低漏電流，適合高端汽車及工業(yè)應用。

聯(lián)電技術研發(fā)副總經理徐世杰指出，55nm BCD平臺是公司BCD技術布局的重要里程碑，完善了特殊制程產品組合，提升了電源管理市場的競爭力。盡管55nm BCD技術市場已有多年應用，聯(lián)電此次推出的新平臺集成了卓越的組件特性，助力客戶開發(fā)創(chuàng)新電源解決方案，涵蓋智能手機、可穿戴設備、汽車、智能家居及智能工廠等多領域。

此外，55nm BCD平臺整合了超厚金屬層（UTM）、嵌入式閃存（eFLASH）以及憶阻器（RRAM）等先進技術。這些融合不僅提升了平臺性能與系統(tǒng)集成度，還實現(xiàn)了更小芯片面積與更低功耗，展現(xiàn)優(yōu)異的抗噪聲能力，為電源電路設計帶來更高靈活性及可靠性。