聯(lián)電近期發(fā)布的營(yíng)運(yùn)報(bào)告顯示，與英特爾合作開發(fā)的N12 FinFET制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)在2026年完成制程開發(fā)并通過驗(yàn)證，這對(duì)于公司未來的成長(zhǎng)至關(guān)重要。

根據(jù)報(bào)告，聯(lián)電與英特爾的合作不僅能夠減少新晶圓廠的投資負(fù)擔(dān)，還能吸引新客戶，尤其是在美國(guó)亞利桑那州的生產(chǎn)基地，將為客戶提供靈活的供應(yīng)鏈選擇。這一策略將有助于聯(lián)電在快速變化的市場(chǎng)中保持競(jìng)爭(zhēng)力。

此外，聯(lián)電在先進(jìn)封裝技術(shù)方面也取得了顯著進(jìn)展，晶圓級(jí)混合鍵合技術(shù)已完成產(chǎn)品驗(yàn)證，預(yù)計(jì)在2025年進(jìn)入量產(chǎn)。這些技術(shù)將全面支援邊緣及云端AI應(yīng)用，顯示出聯(lián)電在高科技領(lǐng)域的前瞻性布局。

不過，隨著國(guó)際形勢(shì)變化，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的不確定性加劇，聯(lián)電必須與客戶緊密合作，進(jìn)行技術(shù)和產(chǎn)品的驗(yàn)證，以降低風(fēng)險(xiǎn)并確保供應(yīng)鏈的韌性。盡管如此，聯(lián)電的價(jià)格策略仍保持彈性，并將與客戶共同提升市占率，尤其是在高階智能手機(jī)顯示器及射頻前端模塊等領(lǐng)域。

聯(lián)電的2024年研發(fā)支出預(yù)計(jì)達(dá)156億元新臺(tái)幣，除了N12平臺(tái)的研發(fā)，還包括22nm影像信號(hào)處理器及氮化鎵元件的開發(fā)。這些投資將為聯(lián)電的未來增長(zhǎng)奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，盡管市場(chǎng)環(huán)境充滿挑戰(zhàn)，聯(lián)電仍展現(xiàn)出強(qiáng)勁的韌性和潛力。