據(jù)韓媒報道，三星電子位于美國得克薩斯州泰勒市的半導(dǎo)體芯片工廠計劃于2026年開始大規(guī)模芯片生產(chǎn)，目標(biāo)是與臺積電展開競爭。該工廠將生產(chǎn)2納米和3納米工藝芯片，計劃在2026年初引入所有必要設(shè)備，并在年底前啟動量產(chǎn)。

三星將在2納米和3納米的芯片生產(chǎn)中采用環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)，而臺積電將在其3納米制程節(jié)點采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)，在2納米制程采用環(huán)繞柵極技術(shù)。

根據(jù)三星電子的聲明，該公司在泰勒市的投資項目是其全球半導(dǎo)體制造戰(zhàn)略的重要組成部分，工廠的建設(shè)和運營預(yù)計將創(chuàng)造大量的就業(yè)機會，并為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟發(fā)展注入新的活力。此外，該工廠還將采用最先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)備，以確保生產(chǎn)出高質(zhì)量的芯片產(chǎn)品。

三星曾提出“2030愿景”計劃，目標(biāo)是到2030年成為全球半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的領(lǐng)軍者。三星在美國得州建半導(dǎo)體廠并計劃2026年大規(guī)模生產(chǎn)芯片這一舉措，將進(jìn)一步推動半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和市場格局的變化。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)