日本經(jīng)濟新聞的報道，日本新創(chuàng)半導體制造商Rapidus的會長東哲郎，在本月11日于SEMICON Japan會議的開幕式上致詞時表示，對該企業(yè)的2納米節(jié)點制程的試產(chǎn)線充滿信心。

東哲郎表示，Rapidus 的EUV 光刻設(shè)備將于本月交貨給工廠， 還有200余臺設(shè)備陸續(xù)交貨。 所有設(shè)備2025年3月底前到位，啟動生產(chǎn)2納米芯片試產(chǎn)線。 客戶試產(chǎn)期間可測試，確認芯片能否實用。

根據(jù) Rapidus 規(guī)劃，完成試產(chǎn)后目標 2027 年 4 月量產(chǎn) 2 納米。 Rapidus 曾表示與 40 多家潛在客戶洽談中。

Rapidus合作伙伴IBM日前于IEEE IEDM 2024國際電子元件會議，展示合作的多閾值電壓GAA晶體管成果，有望用于Rapidus 2納米。 IBM表示，先進制程升級至2納米后，晶體管結(jié)構(gòu)由使用多年的FinFET鰭式場效應(yīng)晶體管，轉(zhuǎn)成GAAFET全環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管，對制程改朝換代帶來新挑戰(zhàn)。 如何達多閾值電壓（Multi Vt），讓芯片以較低電壓執(zhí)行復雜計算是個挑戰(zhàn)。