10月21日，廣東省人民政府辦公廳印發(fā)廣東省加快推動光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動方案（2024—2030年）的通知。其中指出，為加快培育發(fā)展光芯片產(chǎn)業(yè)，力爭到2030年取得10項以上光芯片領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)突破，打造10個以上“拳頭”產(chǎn)品，培育10家以上具有國際競爭力的一流領(lǐng)軍企業(yè)，建設(shè)10個左右國家和省級創(chuàng)新平臺，培育形成新的千億級產(chǎn)業(yè)集群，建設(shè)成為具有全球影響力的光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地，制定本行動方案。

據(jù)悉，該行動方案的十大要點包括，強化光芯片基礎(chǔ)研究和原始創(chuàng)新能力；省重點領(lǐng)域研發(fā)計劃支持光芯片技術(shù)攻關(guān)；加大“強芯”工程對光芯片的支持力度；強化光芯片產(chǎn)業(yè)系統(tǒng)布局；聚焦特色優(yōu)勢領(lǐng)域打造產(chǎn)業(yè)集群；積極爭取國家級項目；加快開展光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)攻關(guān)；推進光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)制造；加強光芯片設(shè)計研發(fā)；加強光芯片制造布局。

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