近日，業(yè)界消息傳出聯(lián)電洽談出售8英寸晶圓廠，聯(lián)電則回應(yīng)“不評(píng)論市場(chǎng)傳言”，但指出，其中1座8英寸廠將準(zhǔn)備先試產(chǎn)化合物半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）技術(shù)。

據(jù)悉，聯(lián)電目前擁有7座8英寸晶圓廠，1座6英寸晶圓廠，以及4座12英寸晶圓廠。其中，聯(lián)電8英寸晶圓廠有6座位于竹科，另1座在蘇州和艦；6英寸晶圓廠是位于竹科的聯(lián)穎光電；12英寸廠分別在南科、新加坡、廈門聯(lián)芯與日本。

聯(lián)電8英寸到12英寸廠的制程技術(shù)涵蓋0.5微米至22/28納米。其中，22/28納米占聯(lián)電第二季營(yíng)收比重達(dá)33%居最高，65納米占15%營(yíng)收比重居次，40納米與90納米各占12%。

對(duì)于業(yè)界傳出的洽談出售8英寸晶圓廠，聯(lián)電回應(yīng)“不評(píng)論市場(chǎng)傳言”，但指出，已在開發(fā)8英寸化合物半導(dǎo)體的氮化鎵（GaN）技術(shù)，將會(huì)先從其中1座8英寸廠先試產(chǎn)，至于何時(shí)試產(chǎn)看市場(chǎng)狀況而定。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)