春節(jié)假期，半導(dǎo)體行業(yè)也十分熱鬧，英特爾或?qū)⒛玫骄揞~補(bǔ)貼；三星拿下行業(yè)首個(gè)2nm訂單；英偉達(dá)成立新部門再發(fā)力AI領(lǐng)域；Tower計(jì)劃投資80億美元建芯片廠；PCB領(lǐng)域巨額59.1億美元收購…

英特爾尋求100億美元補(bǔ)貼、20億美元融資？

近日行業(yè)內(nèi)兩則關(guān)于英特爾的消息滿天飛。

近日，彭博引述知情人士透露，美國(guó)正在商討向英特爾(INTC-US)提供超過100億美元的補(bǔ)貼，有望成為美國(guó)推動(dòng)半導(dǎo)體本土生產(chǎn)計(jì)劃迄今最大的一筆補(bǔ)助。據(jù)悉，英特爾的補(bǔ)貼方案預(yù)估將包含貸款和直接補(bǔ)貼。由于這項(xiàng)討論為私下進(jìn)行的，知情人士要求匿名。他們也強(qiáng)調(diào)，目前討論還在進(jìn)行中。

這項(xiàng)補(bǔ)貼措施是來自美國(guó)總統(tǒng)拜登(Joe Biden)在2022年簽署的《芯片和科技法案》，該法案提撥390億美元的直接補(bǔ)貼與價(jià)值750億美元的貸款及貸款擔(dān)保，旨在吸引全球頂尖的半導(dǎo)體商赴美國(guó)生產(chǎn)芯片。

此外，據(jù)彭博社消息，英特爾正尋求至少20億美元的股權(quán)融資，以擴(kuò)建愛爾蘭Leixlip的先進(jìn)半導(dǎo)體廠。該廠是歐洲唯一采用極紫外線（EUV）曝光技術(shù)的生產(chǎn)設(shè)施，采用Intel4制程制造，為即將推出的產(chǎn)品奠定基礎(chǔ)，包括為AI PC打造的Intel CoreUltra處理器（代號(hào)Mete orLake）。盡管按目前標(biāo)準(zhǔn)，20億美元不足以建造一座全新工廠，但足以擴(kuò)建或升級(jí)現(xiàn)有設(shè)施。因此，這表明英特爾可能計(jì)劃提高Leixlip工廠產(chǎn)量或?qū)敫冗M(jìn)制程，如Intel3、Intel20A和Intel18A，以滿足自身產(chǎn)品需求及旗下代工服務(wù)（IFS）客戶的需求。

公開資料顯示，英特爾正在俄亥俄州投資200億美元建設(shè)一座工廠，在亞利桑那州進(jìn)行200億美元的擴(kuò)建，并在新墨西哥州投資35億美元。

三星拿下Preferred Networks的2nm訂單

近日，三星電子宣布拿下日本人工智能巨頭Preferred Networks Inc.（PFN）的首個(gè)2nm工藝AI芯片生產(chǎn)訂單，從而在2nm先進(jìn)芯片競(jìng)爭(zhēng)中走在臺(tái)積電前面。

據(jù)悉，PFN自2016年一直與臺(tái)積電合作，今年該公司決定使用三星的2納米節(jié)點(diǎn)，來生產(chǎn)下一代人工智能芯片。

公開資料顯示，PFN成立于2014年，是人工智能領(lǐng)域的佼佼者，吸引了豐田汽車、NTT 和日本機(jī)器人系統(tǒng)制造商發(fā)那科等大公司的大規(guī)模投資。其憑借其在定制軟件開發(fā)和為客戶提供超級(jí)計(jì)算機(jī)方面的資源和專業(yè)知識(shí)上的優(yōu)勢(shì)，被認(rèn)為是日本最先進(jìn)的AI公司之一。

據(jù)三星藍(lán)圖分析，2納米SF2制程2025年推出，較第二代3GAP的3納米，相同頻率和復(fù)雜度提高25%功耗效率，相同功耗和復(fù)雜度提高12%性能，減少5%芯片面積。

先前市場(chǎng)消息，晶圓代工龍頭臺(tái)積電已向蘋果、英偉達(dá)等大客戶揭露2納米原型制程測(cè)試結(jié)果，并以2025年量產(chǎn)為目標(biāo)。蘋果將為臺(tái)積電2納米首家客戶，使臺(tái)積電2納米處于先進(jìn)制程領(lǐng)先地位?！督鹑跁r(shí)報(bào)》報(bào)導(dǎo)，三星準(zhǔn)備以更低價(jià)格吸引客戶下單2納米制程，目標(biāo)是爭(zhēng)取臺(tái)積電另一大客戶高通將部分旗艦芯片轉(zhuǎn)單給三星2納米制程。

英偉達(dá)成立新部門幫助云計(jì)算公司設(shè)計(jì)芯片

路透社消息顯示，英偉達(dá)正在建立一個(gè)新的業(yè)務(wù)部門，專注于為云計(jì)算公司和其他公司設(shè)計(jì)定制芯片，包括先進(jìn)的人工智能（AI）處理器。

據(jù)悉，英偉達(dá)占據(jù)著約80%的高端AI芯片市場(chǎng)，這一地位使其股票市值在2023年增長(zhǎng)了兩倍多后，今年迄今為止上漲了40%，達(dá)到1.73萬億美元。Nvidia的客戶中，當(dāng)中包括ChatGPT創(chuàng)建者OpenAI、微軟,Alphabet和Meta Platforms，他們競(jìng)相搶購日益減少的芯片供應(yīng)，以在快速新興的生成人工智能領(lǐng)域展開競(jìng)爭(zhēng)。

其H100和A100芯片為許多主要客戶提供通用、多用途的人工智能處理器。但是科技公司已經(jīng)開始開發(fā)自己的內(nèi)部芯片以滿足特定需求。這樣做有助于減少能源消耗，并有可能縮短設(shè)計(jì)成本和時(shí)間。英偉達(dá)現(xiàn)在正試圖發(fā)揮作用，幫助這些公司開發(fā)定制人工智能芯片，據(jù)悉，這些芯片已流向博通和Marvell等芯片公司。除了數(shù)據(jù)中心芯片之外，英偉達(dá)還瞄準(zhǔn)了電信、汽車和視頻游戲客戶。

此前英偉達(dá)表示，到2022年將允許第三方客戶將其部分專有網(wǎng)絡(luò)技術(shù)與自己的芯片集成。就此事，亞馬遜、谷歌、微軟、Meta和OpenAI均拒絕置評(píng)。

Tower半導(dǎo)體計(jì)劃投資80億美元在印度建芯片廠

近日《印度快報(bào)》報(bào)導(dǎo)，以色列Tower半導(dǎo)體向印度政府提交了一份耗資80億美元建造一座芯片制造工廠的提案。

目前，印度正在評(píng)估Tower主張，并希望在今年大選前示范行為準(zhǔn)則生效之前澄清這一問題。

報(bào)道稱，Tower正在為其計(jì)劃尋求政府激勵(lì)，并希望在印度生產(chǎn)65nm和40nm芯片。

如果Tower的提議被政府接受，它將成為首家加入印度100億美元芯片制造計(jì)劃中，真正具有制造血統(tǒng)的半導(dǎo)體公司，并將極大地推動(dòng)印度的芯片制造雄心。

Tower計(jì)劃在印度生產(chǎn)65納米和40納米芯片，這些芯片可能用于汽車和穿戴式電子產(chǎn)品等多個(gè)領(lǐng)域。

瑞薩宣布收購PCB軟件巨頭Altium

2月14日，瑞薩（Renesas Electronics）和全球電子設(shè)計(jì)廠商AltiumLimited（“Altium”）Systems宣布，他們已簽訂計(jì)劃實(shí)施協(xié)議（“SIA”），瑞薩電子將根據(jù)澳大利亞法律通過安排計(jì)劃收購 Altium，據(jù)悉該計(jì)劃將通過一次全現(xiàn)金交易以91億澳元（約合59.1億美元）的價(jià)格收購澳大利亞設(shè)計(jì)軟件提供商Altium的100%股份。

公開資料顯示，Altium成立于1985年，是全球最早的印刷電路板(PCB)設(shè)計(jì)工具提供商之一。據(jù)悉，Altium的PCB設(shè)計(jì)軟件添加了世界上第一個(gè)用于設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)電子硬件的數(shù)字平臺(tái)Altium 365，在整個(gè)PCB設(shè)計(jì)過程中實(shí)現(xiàn)了無縫協(xié)作。

2023年6月，瑞薩電子宣布在Altium的Altium 365云平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了所有PCB設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)化開發(fā)。瑞薩電子一直與Altium合作，將其所有產(chǎn)品的ECAD庫發(fā)布到Altium Public Vault。借助Altium365上的制造商零件搜索等功能，客戶可以直接從Altium庫中選擇瑞薩電子零件，以加快上市速度。

瑞薩電子和Altium有著共同的愿景，旨在構(gòu)建一個(gè)集成、開放的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)和生命周期管理平臺(tái)，在系統(tǒng)級(jí)別統(tǒng)一這些步驟。目前該交易已獲得兩家公司董事會(huì)的一致批準(zhǔn)，預(yù)計(jì)將于2024年下半年完成。交易的完成還需獲得Altium股東的批準(zhǔn)、澳大利亞法院的批準(zhǔn)以及監(jiān)管部門的批準(zhǔn)和其他慣例成交狀況。

ASML將目光投向Hyper NA光刻機(jī)

2023年12月ASML向Intel交付了第一臺(tái)高NA EUV極紫外光刻機(jī)，其將用于2nm工藝以下芯片的制造，臺(tái)積電、三星未來也會(huì)陸續(xù)接收，可直達(dá)1nm工藝左右。據(jù)外媒最新消息顯示，ASML正在研究下一代Hyper NA(超級(jí)NA)光刻機(jī)，以繼續(xù)延續(xù)摩爾定律。

ASML首席技術(shù)官M(fèi)artin van den Brink在ASML 2023年年度報(bào)告中寫道：“NA高于0.7的Hyper-NA無疑是一個(gè)機(jī)會(huì)，從2030年左右開始，這種機(jī)會(huì)將變得更加明顯。”“它可能與Logic最相關(guān)，并且需要比“高NA EUV”雙圖案化更實(shí)惠，但它也可能是DRAM的一個(gè)機(jī)會(huì)。對(duì)我們來說，關(guān)鍵是Hyper-NA正在推動(dòng)我們的整體EUV能力平臺(tái)，以改善成本和交貨時(shí)間。”

ASML目前的EUV工具包括low NA模型，其具有0.33 NA光學(xué)器件，可實(shí)現(xiàn) 13.5 nm的臨界尺寸（CD）。這足以通過單次曝光圖案產(chǎn)生26 nm的最小金屬間距和25-30 nm尖端到尖端的近似互連空間間距。這些尺寸足以滿足 4nm/5nm級(jí)生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的需要。盡管如此，業(yè)界仍然需要3nm的21-24nm間距，這就是為什么臺(tái)積電的N3B工藝技術(shù)被設(shè)計(jì)為使用Low-NA EUV雙圖案打印來打印盡可能最小的間距。這種方法被認(rèn)為非常昂貴。 

具有0.55 NA光學(xué)器件的下一代High NA EUV系統(tǒng)將實(shí)現(xiàn)8nm的CD，這足以打印約16nm的最小金屬節(jié)距，這對(duì)于超過3nm的節(jié)點(diǎn)非常有用，并且預(yù)計(jì)即使對(duì)于1nm，至少根據(jù)Imec的設(shè)想是這樣。

但金屬間距將變得更小，超過 1nm，因此該行業(yè)將需要比 ASML 的 High-NA 設(shè)備更復(fù)雜的工具。這使我們能夠開發(fā)出具有更高數(shù)值孔徑投影光學(xué)器件的 Hyper-NA 工具。ASML 首席技術(shù)官 Martin van den Brink 在接受采訪時(shí)證實(shí) ，正在研究 Hyper-NA 技術(shù)的可行性。不過，尚未做出最終決定。

增加投影光學(xué)器件的數(shù)值孔徑是一個(gè)成本高昂的過程，涉及對(duì)光刻工具的設(shè)計(jì)進(jìn)行重大改變。特別是，這包括機(jī)器的物理尺寸、開發(fā)許多新組件的需要以及成本增加的影響。ASML 最近透露，根據(jù)配置，低數(shù)值孔徑 EUV Twinscan NXE 機(jī)器的售價(jià)為 1.83 億美元或更高，而高數(shù)值孔徑 EUV Twinscan EXE 工具的售價(jià)將根據(jù)配置為 3.8 億美元或更高 。Hyper-NA 的成本會(huì)更高，因此 ASML 必須回答兩個(gè)問題：它是否可以在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)以及對(duì)于領(lǐng)先的邏輯芯片制造商來說是否在經(jīng)濟(jì)上可行。只剩下三個(gè)領(lǐng)先的芯片制造商：英特爾、三星代工和臺(tái)積電。日本的 Rapidus 尚未發(fā)展成為可行的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。因此，雖然需要 Hyper-NA EUV 光刻技術(shù)，但它必須價(jià)格合理。

Marvell創(chuàng)始人戴偉立最新的芯片公司，聚焦Chiplet封裝

為了幫助小芯片技術(shù)成為主流，總部位于新加坡的 Silicon Box 在1月份宣布，已在B 輪融資中籌集了2億美元。目前，這家成立三年的初創(chuàng)公司總?cè)谫Y達(dá)到4.1億美元，估值達(dá)到10.8 億美元，成為新加坡估值超過10億美元的新晉獨(dú)角獸。

公開資料顯示，Silicon Box由半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和封裝技術(shù)領(lǐng)域的世界領(lǐng)先者創(chuàng)立，聯(lián)合創(chuàng)始人Sehat Sutardja博士和Weili Dai曾創(chuàng)立 Marvell，聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Byung Joon (BJ) Han 博士曾任 STATS ChipPAC（由 JCET 于 2015 年收購）首席執(zhí)行官）。Sutardja 博士和 Han 博士合計(jì)擁有 800 多項(xiàng)美國(guó)專利。

Silicon Box 通過其創(chuàng)新的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)和制造方法徹底改變了這種方法，從而實(shí)現(xiàn)了小芯片。Chiplet 為芯片設(shè)計(jì)者提供了一種替代方案，不再依賴單個(gè)單片芯片進(jìn)行處理；通過利用在單個(gè)封裝中互連的多個(gè)較小芯片，在封裝中創(chuàng)建相當(dāng)于“片上系統(tǒng)”(SoC) 的功能。這種方法減少了在不同芯片之間移動(dòng)數(shù)據(jù)的能源需求，因?yàn)樗缓?jiǎn)化為一個(gè)小芯片，其中每個(gè)子系統(tǒng)都可以模塊化并執(zhí)行專門的處理。Silicon Box 工藝尤其設(shè)立了新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，使用大尺寸生產(chǎn)，每個(gè)生產(chǎn)單元的器件數(shù)量最多可增加 8 倍，良率高達(dá) 90% 以上，而行業(yè)替代品的良率最高可達(dá) 60% 左右。

其融資方TDK Ventures 投資總監(jiān) Henry Huang 在視頻采訪中表示：“鑒于人工智能的興起和巨大的需求，傳統(tǒng)的單片集成電路設(shè)計(jì)架構(gòu)不可持續(xù)。” “你需要擁有這種小芯片概念，使其功能更強(qiáng)大，但成本更低......我們看到 [Silicon Box] 比許多其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手具有明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。”

“有一些人在做半導(dǎo)體封裝，但沒有人能夠做臺(tái)積電能夠做的那種封裝，”Henry Huang補(bǔ)充道。“當(dāng)我們考慮 Silicon Box 時(shí)，我們認(rèn)為這是唯一一家能夠至少與臺(tái)積電持平或相似的公司。”

據(jù)悉，新資金將用于增強(qiáng) Silicon Box 的制造能力和全球擴(kuò)張。去年 7 月，Silicon Box 在新加坡東部淡濱尼地區(qū)建造了一座占地 750,000 平方英尺的半導(dǎo)體工廠，該工廠是多個(gè)重要工業(yè)園區(qū)的所在地。三個(gè)月后，即 10 月，這座耗資 20 億美元的工廠開始生產(chǎn)小芯片。

Silicon Box拒絕透露其客戶，但表示其chiplet用于熱門人工智能領(lǐng)域，如大語言模型和生成式人工智能、高性能計(jì)算、移動(dòng)計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車。到目前為止，該初創(chuàng)公司聲稱其專有的亞 5 微米技術(shù)可以優(yōu)化電力使用，并且可以降低高達(dá) 90% 的制造成本。

越南將推半導(dǎo)體計(jì)劃承諾為芯片公司提供稅收減免等優(yōu)惠

2月12日，越南宣布，將在該國(guó)更廣泛的半導(dǎo)體戰(zhàn)略中為半導(dǎo)體公司推出一系列稅收優(yōu)惠政策。越南科學(xué)技術(shù)部部長(zhǎng)黃清達(dá) (Huynh Thanh Dat) 表示，該國(guó)正在尋求與外國(guó)企業(yè)的進(jìn)一步合作。

據(jù)悉，越南將設(shè)立一個(gè)科學(xué)基金，為越南國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)籌集資金。國(guó)家和私營(yíng)公司之間的研究合作也將通過資金得到鼓勵(lì)。 

最近，幾家未透露姓名的美國(guó)公司表示，如果獲得監(jiān)管部門的支持，有興趣向越南芯片和清潔能源行業(yè)投資高達(dá) 80 億美元。

日本為芯片研究組織提供3億美元支持，將開發(fā)1.4nm技術(shù)

日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省近期表示，將向包括芯片代工企業(yè)Rapidus在內(nèi)的一家組織提供價(jià)值高達(dá)450億日元（合3.01億美元）的支持，用于尖端半導(dǎo)體技術(shù)的研究，目標(biāo)是到2028年開發(fā)1.4nm芯片制造技術(shù)，并計(jì)劃與Rapidus分享。

尖端半導(dǎo)體技術(shù)中心（LSTC）由Rapidus董事長(zhǎng)Tetsuro Higashi擔(dān)任主席，成員包括研究機(jī)構(gòu)和大學(xué)。

此次支持正值日本大力推動(dòng)重建其芯片制造基地之際。在數(shù)十億美元補(bǔ)貼的支持下，Rapidus計(jì)劃在北海道大規(guī)模生產(chǎn)2nm邏輯芯片，并與臺(tái)積電等龍頭企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。這家政府支持的初創(chuàng)公司Rapidus計(jì)劃最早于2027年在北海道生產(chǎn)2nm芯片。

臺(tái)積電近期宣布將在日本熊本建造第二座晶圓廠，并于2027年投入運(yùn)營(yíng)，助力日本打造半導(dǎo)體制造基地。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)